基本介紹
- 中文名：磁阻隨機存儲器
- 類型：存儲器
磁阻隨機存儲器，利用磁性薄膜材料的電阻隨薄膜磁化方向的不同而發生變化來實現數據存儲的存儲器。信息的讀取方式主要是依靠檢測由於磁電阻不同所造成的電位變化來判別。實現數據存儲要直到被外界的磁場影響之後才會改變，故為非易失性的...
磁阻式隨機存取記憶體（Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM），是一種非揮發性記憶體技術，從1990年代開始發展。這個技術的擁護者認為，這個技術速度接近SRAM，具有快閃記憶體的非揮發性，容量密度及使用壽命不輸DRAM，平均能耗遠低於...
其特徵在於：所述基本存儲模組採用的存儲介質包括但不下限於以下存儲介質：快閃記憶體介質（FLASHMemory）、SDRAM、DRAM、EPPROM、靜態隨機存取存儲器（SRAM）、鐵磁隨機存儲器/鐵電存貯器（FRAM）、磁阻式隨機存取存儲器（MRAM）和/或超高密度...
1.1.1磁阻感測器 1.1.2硬碟驅動器磁頭 1.2磁隨機存儲器（MRAM）參考文獻 第2章巨磁阻和隧道磁阻器件物理 2.1自旋釘扎 2.1．1自旋釘扎的唯象理論 2.1.2自旋釘扎的微磁理論 2.2巨磁阻效應的自由電子模型 2.2.1金屬和...
電子既是電荷的負載體，同時也是自旋的負載體，磁電子學以研究和控制介觀尺度範圍內自旋極化電子的輸運特性為內容，而磁電阻效應是磁電子學中的重要的研究內容，它是研製、開發新型讀出磁頭、感測器及磁隨機存儲器（MRAM）的理論基礎。所謂...
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性的磁性隨機存儲器，它利用磁電阻效應來存儲數據。與傳統的半導體隨機存取存儲器（RAM）不同，MRAM使用磁性隧道結（MTJ）作為存儲單元，通過改變磁化方向來記錄二進制數據。背景 ...
1.2 半導體存儲器分類 014 1.2.1 半導體存儲器概況 014 1.2.2 SRAM 存儲器 015 1.2.3 DRAM 存儲器 019 1.2.4 Flash 存儲器 021 1.2.5 磁阻隨機存取存儲器 024 1.2.6 習題 029 1.3 存儲器的陣...
存儲器 巨磁電阻材料的出現，使得MRAM作為計算機記憶體晶片的構想自然被提出，用於取代體積大速度慢的磁芯隨機存儲器。MRAM結構是採用納米技術，把沉積在基片上的GMR薄膜或TMR薄膜製成圖形陣列，形成存儲單元，以相對的兩磁性層的平行磁化狀態...
磁阻隨機存儲器技術發展歷程及現狀研究 美軍高度關注偽冒電子元器件問題 賽博空間研究 2013年度賽博空間發展綜述 賽博空間病毒武器分析 美國構建賽博空間一體化管理模式 美國賽博空間測試評估能力建設研究 朝鮮遭受賽博攻擊事件分析 《2020年美國...