| 中文名稱 | 磁控直拉矽單晶 |
| 英文名稱 | monocrystalline silicon by magnetic field Czochralski crystal growth |
| 定 義 | 熔體在外加磁場作用下拉制出的具有氧含量可控、雜質條紋輕、微缺陷密度低以及質量參數得到相應改善的矽單晶。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），元素半導體材料（三級學科） |
| 中文名稱 | 磁控直拉矽單晶 |
| 英文名稱 | monocrystalline silicon by magnetic field Czochralski crystal growth |
| 定 義 | 熔體在外加磁場作用下拉制出的具有氧含量可控、雜質條紋輕、微缺陷密度低以及質量參數得到相應改善的矽單晶。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），元素半導體材料（三級學科） |
中文名稱 磁控直拉矽單晶 英文名稱 monocrystalline silicon by magnetic field Czochralski crystal growth 定義 熔體在外加磁場作用下拉制出的具有氧含量可控、雜質...
磁控拉晶法是指MCZ在直拉過程中熔體部位施加磁場製備單晶的方法。在通常的直拉單晶過程中,熱對流會給生長的晶體帶來雜質分布不均勻、缺陷密度高等不良效果。...
半導體矽材料(semiconductor silicon)是最主要的元素半導體材料,包括矽多晶、矽...見磁控直拉法單晶生長)計算機控制或連續送料,使均勻性得到很大改善;對區熔單晶...
直拉法套用最廣,80%的矽單晶、大部分鍺單晶和銻化銦單晶是用此法生產的,其中矽單晶的最大直徑已達300毫米。在熔體中通入磁場的直拉法稱為磁控拉晶法,用此法已...