《磁性分子器件輸運性質計算方法的發展及套用》是依託中國科學院合肥物質科學研究院，由戴振翔擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：磁性分子器件輸運性質計算方法的發展及套用
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：戴振翔
- 依託單位：中國科學院合肥物質科學研究院
- 批准號：10804110
- 申請代碼：A2003
- 負責人職稱：副教授
- 研究期限：2009-01-01 至 2011-12-31
- 支持經費：17（萬元）
項目摘要
與傳統的磁隧穿結相比，用有機分子作為隧穿勢壘不但可以實現分子尺度的磁性分子器件。電子自旋相干性在分子絕緣層中能夠保持更長的時間和距離使得其具有更高的性能，分子自組裝技術的發展使得這種磁性分子器件具有更高的生產效率和更低的生產成本。所以，磁性分子器件已經得到人們的廣泛關注。但是，目前已有的理論計算方法還不能完全滿足磁性分子器件的自旋極化輸運性質計算的需要。 .基於密度泛函理論和非平衡態格林函式方法，我們提出在緊束縛方法與標準的第一原理計算有效結合的基礎上研究磁性分子器件的方案，同時通過計及與自旋相關的非對角矩陣元的計算方法來處理電子的自旋非共線的行為。從而發展一套具有完全自主智慧財產權的、能有效處理磁性分子器件的自旋極化輸運（尤其是非共線磁結構）的計算方法。繼而系統地研究磁性分子器件中不同自旋的電子的輸運行為，並提出可能的磁性分子器件設計方案，為磁性分子器件的設計和套用提供理論依據。
