《不規則二維電子器件的輸運特性研究》是依託中國科學院合肥物質科學研究院，由鄭小宏擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：不規則二維電子器件的輸運特性研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：鄭小宏
- 依託單位：中國科學院合肥物質科學研究院
- 批准號：11574318
- 研究期限：2016-01-01 至 2019-12-31
- 申請代碼：A2004
- 負責人職稱：研究員
- 支持經費：62（萬元）
項目摘要
基於密度泛函理論和非平衡格林函式相結合的第一性原理方法是當前從理論上研究納米與分子電子器件電荷輸運性質的最為廣泛使用的方法，然而現有的輸運計算程式由於採用了傳統的計算單胞而要求器件具有規則的中心散射區，這導致了一大類重要的器件結構中的輸運計算問題被排除在了研究範圍之外。特別是，其中包括一類極具套用前景且具有不規則中心散射區的二維電子器件。為了突破這一局限性，本項目將發展新的第一性原理方法和程式，實現中心散射區邊界不規則的二維電子器件的輸運問題的求解，並首先將程式套用於以下兩類典型問題的研究：(1).實驗中發現的“Y”型納米碳管的整流效應和開關效應的模擬與調控；(2).石墨烯不規則器件的探索與設計。這一項目的開展，既能突破以往方法中必須利用傳統規則單胞概念的局限，為複雜二維電子器件的研究提供有力的手段，又能為利用納米碳管和新型二維層狀材料等設計符合實際需求的電子器件提供理論基礎。
