磁存儲（magnetic storage）是2019年公布的物理學名詞。
基本介紹
- 中文名：磁存儲
- 外文名：magnetic storage
- 所屬學科：物理學
- 公布時間：2019年
公布時間,出處,
磁存儲
相關詞條
- 磁存儲
磁存儲 磁存儲（magnetic storage）是2019年公布的物理學名詞。公布時間 2019年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《物理學名詞》第三版。
- 磁存儲技術
磁存儲信息 在磁存儲中信息的記錄與讀出原理是磁致電阻效應。磁致電阻磁頭的核心是一片金屬材料，其電阻隨磁場變化而變化。磁頭採用分離式設計，由感應磁頭寫，磁致電阻磁頭讀。1.記錄過程在硬磁碟中寫入信息，採用的是感應式薄膜磁頭，即...
- 磁表面存儲器讀寫原理
磁表面存儲器讀寫原理是使用最廣泛的外存儲器。介質與磁頭 磁表面存儲器是使用最廣泛的外存儲器。所謂磁表面存儲，是用某些磁性材料薄薄地塗在金屬鋁或塑膠表面作載磁體來存儲信息。根據記錄載體的外形，磁表面存儲器有磁鼓、磁帶、磁碟...
- 磁芯存儲器
最常見的核心存儲器形式，X / Y線重合電流，用於計算機的主存儲器，由大量小環形亞鐵磁陶瓷鐵氧體（磁芯）組成格線結構（組織為“堆疊“稱為平面的層”，電線穿過核心中心的孔。在早期系統中有四條線：X，Y，Sense和Inhibit，但後來...
- 磁表面存儲器
磁表面存儲器由於存儲容量大，單位成本低，多在計算機系統中作為輔助大容量存儲器使用，用以存放系統軟體、大型檔案、資料庫等大量程式與數據。磁表面存儲器又可分為磁帶存儲器和磁碟存儲器兩大類。磁帶存儲器是一種順序存取的設備，存取...
- 磁記錄(利用磁的性質進行信息的記錄的方式)
磁記錄是利用磁的性質進行信息的記錄的方式。在存儲和使用的時候通過特殊的方法進行信息的輸入和讀出，從而達到存儲信息和讀出信息的目的。磁的性質 鐵棒和鋼棒本來不能吸引鋼鐵，當磁鐵靠近它或與它接觸時，它便有了吸引鋼鐵的性質，也...
- 磁帶存儲器
磁帶存儲器是計算機外圍設備之一。磁帶控制器是中央處理器在磁帶機上存取數據用的控制電路裝置。磁帶存儲器以順序方式存取數據。存儲數據的磁帶可脫機保存和互換讀出。簡介 磁帶存儲器屬於磁表面存儲器，計算機的外存儲器又稱磁表面存儲設備。
- 磁數據記錄
一般來說，磁記錄介質中記錄的數據信息可以通過重新格式化或直接重寫來實現消除。對數字磁記錄系統的數據恢復能力和性能所進行的理論研究, 在很大程度上集中在磁頭和記錄介質的磁學方面。原理 磁記錄介質是當今最主要的信息存儲介質之一，無...
- 磁全息存儲器
全息存儲是利用全息照相的技術原理來實現數據記錄的。磁全息存儲器是指全息存儲器結合了磁性數據存儲和波基礎的信息傳輸兩者的優點，能增強電子設備數據存儲和處理能力。磁全息存儲器利用的是自旋波而不是光束。自旋波是磁性材料中自旋電子的...
- 磁隨機存儲器
此外，穿隧式磁電阻材料有半導體材料所不具有的電阻值大的特點，使得其組件的功耗低。簡介 MRAM是指以磁電阻性質來存儲數據的隨機存儲器，它採用磁化的方向不同所導致的磁電阻不同來記錄0和1，只要外部磁場不改變，磁化的方向就不會...
- 磁碟存儲器
磁頭浮動在碟片表面,在磁碟控制器的控制下,經磁頭的電磁轉換在盤面磁層上按同心圓軌道寫入、讀出數據。磁碟驅動器分頭臂固定型和頭臂移動型兩類；頭臂移動型磁碟驅動器又有磁碟可換型和磁碟固定型兩種。溫徹斯特磁碟存儲器簡稱溫盤。因...
- 3D磁存儲器
3D磁存儲器，即3D XPoint（發音three dee cross point），是一種由英特爾和美光科技於2015年7月宣布的非易失性記憶體（NVM）技術。英特爾為使用該技術的存儲設備冠名Optane，而美光稱為QuantX。它通常被認為是一種基於相變化記憶體的技術，...
- 磁性隨機存取存儲器
磁性隨機存取存儲器 磁性隨機存取存儲器（magnetic random access memory）是2018年公布的計算機科學技術名詞。定義 一種通過電流產生磁場來存儲數據的非易失性隨機存儲器。出處 《計算機科學技術名詞 》第三版。
- 存儲器件
（2）磁表面存儲器用磁性材料做成的存儲器稱為磁表面存儲器，簡稱磁存儲器。它包括磁碟存儲器、磁帶存儲器等。特點：體積大、生產自動化程度低、存取速度慢，但存儲容量比半導體存儲器大得多且不易丟失。（3）雷射存儲器信息以刻痕的...
- 磁扭線存儲器
磁扭線存儲器（英語：Twistor memory）是一種計算機存儲設備，類似磁芯記憶體，通過包裹或封閉通電導線附近的磁帶來實現。簡介 儘管磁扭線存儲器的開發者貝爾實驗室對它抱有很大的希望，它只在1968年到1970年中旬很短的一段時間裡得到市場...
- 磁隨機[存取]存儲器
磁隨機[存取]存儲器 磁隨機[存取]存儲器（magnetic random-access memory，MRAM）是2019年公布的物理學名詞。公布時間 2019年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《物理學名詞》 (第三版)
- MRAM
其他的候選有可變電阻式存儲器、相變存儲器和自旋轉移矩磁性隨機存儲器等。寫入方式 Toggle-MRAM存在著兩個固有的限制 （1）Toggle寫入操作只能做到磁阻狀態的切換，而不是直接的狀態設定。因此，需要預讀操作來確定磁隧道結的初始狀態，...
- STT-MRAM
STT-MRAM是通過自旋電流實現信息寫入的一種新型非易失性磁隨機存儲器，是磁性存儲器MRAM 的二代產品。STT-MRAM存儲單元的核心仍然是一個MTJ，由兩層不同厚度的鐵磁層及一層幾個納米厚的非磁性隔離層組成，它是通過自旋電流實現信息...
