《碘化汞厚膜的製備科學及其X射線陣列探測技術研究》是依託上海大學，由史偉民擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：碘化汞厚膜的製備科學及其X射線陣列探測技術研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：史偉民
- 依託單位：上海大學
- 批准號：10775096
- 申請代碼：A3007
- 負責人職稱：研究員
- 研究期限：2008-01-01 至 2010-12-31
- 支持經費：34（萬元）
中文摘要
碘化汞(HgI2)探測器由於具有高空間解析度、高探測效率、穩定性好，能在室溫下工作且無極化效應等優點，在中能核物理、高能物理探測以及工業、醫學CT領域有著廣闊的套用前景。目前國際上非常重視這方面的研究，多年來HgI2探測器主要採用單晶材料，但生長大面積、高電阻率、低缺陷、均勻性好的單晶材料目前還比較困難且成本很高，因此人們將研究重點從單晶轉向成本低且可實現大面積的多晶厚膜。.本項目提出採用熱壁物理氣相沉積技術將多晶HgI2厚膜材料直接沉積在非晶矽薄膜電晶體(a-Si TFT)象素矩陣上，可實現大面積陣列輻射探測器，成本比單晶生長低，且具有高的X射線靈敏度和低的漏電流。通過厚膜柱狀生長工藝和器件結構設計的研究，揭示厚膜參數(厚度、晶粒尺度、晶粒尺寸分散性等)、器件幾何結構尺寸與探測器性能之間的內在影響規律。為獲得X射線陣列探測器提供實驗和理論依據，為我國新型輻射探測器的發展打下基礎。
