硒化銦

硒化銦是一種無機化合物，化學式為In2Se3。為黑色晶體或暗黑色鱗片狀物質。是典型的二維層狀半導體材料。

基本介紹

• 中文名：硒化銦
• 外文名：indium selenide
• 化學式：Se3In2
• 分子量：466.516
• CAS登錄號：12056-07-4
• EINECS登錄號：235-016-9
• 熔點：890 ℃
• 密度：5.67 g/cm
• 外觀：黑色晶體或暗黑色鱗片狀物質
• 套用：半導體材料
• 安全性描述：S26 S36
• 危險性符號：T、N

物質結構

通過In-Se熔融體的X射線衍射研究指出有五種二元化合物，In₄Se₃、InSe、In₆Se_7、In₃Se₄、In₂Se₃。其中研究最多的是InSe和In₂Se₃。

In₂Se₃主要包括α、β、γ、δ和κ五種晶體結構。

理化性質

α-In₂Se₃和γ-In₂Se₃在室溫下能夠穩定存在，它們的帶隙值分別為1.2-1.3 eV和1.9-2.3 eV。

製備方法

單晶硒化銦可以用 Bridgman–Stockberger 法製備，以一定比例的硒單質和銦單質為原料，在管式爐中高溫長時反應，能製得硒化銦的每種化合物。

In₂Se₃的水熱法合成研究較晚，將抗壞血酸在60℃條件下溶於乙醇溶液中，然後加入InCl₃和Se粉，裝入反應釜中後在220℃高溫下保持20小時，得到了直徑為2-4μm的花狀γ-In₂Se₃球體。

研究進展

2016年11月，曼徹斯特大學和諾丁漢大學的研究人員合成納米級超薄硒化銦，僅有幾層原子的厚度，並表現出優於矽的半導體性能，是未來替代矽製作電子晶片的理想材料。