硒化銦晶體】r:clium }elenide crystal InzSe;周期表Ⅲ-Ⅵ族化合物半導體。共價鍵結合，有離子鍵成分。低溫為閃鋅礦型結構，J鑽格常數0.53finm、高溫時為鉛鋅礦型結構，晶格常數Ll.71 lnm:,禁頻寬度l .3eV，一般為n型材料，電子遷移率3 x 1U 3m21! V "s)。密度5 . 67g/cm3，熔點R9i7 C。採用布甲奇易快.自拉法製備、
