| 中文名稱 | 砷化鎵p-n結注入式雷射器 |
| 英文名稱 | gallium arsenide p-n junction injection laser |
| 定 義 | 以砷化鎵材料構成p-n結，以晶體解理面構成諧振腔，當p-n結中注入大電流，便以平行於結面的方向射出雷射的雷射器。 |
| 套用學科 | 機械工程（一級學科），光學儀器（二級學科），雷射器件和雷射設備-雷射器名稱（三級學科） |
| 中文名稱 | 砷化鎵p-n結注入式雷射器 |
| 英文名稱 | gallium arsenide p-n junction injection laser |
| 定 義 | 以砷化鎵材料構成p-n結，以晶體解理面構成諧振腔，當p-n結中注入大電流，便以平行於結面的方向射出雷射的雷射器。 |
| 套用學科 | 機械工程（一級學科），光學儀器（二級學科），雷射器件和雷射設備-雷射器名稱（三級學科） |
中文名稱 砷化鎵p-n結注入式雷射器 英文名稱 gallium arsenide p-n junction injection laser 定義 以砷化鎵材料構成p-n結,以晶體解理面構成諧振腔,當p-n結...
注入式雷射器又稱p-n junction laser,是一款發明於1962年的半導體結型二極體雷射器。...
砷化鎵雷射器工作原理 編輯 用半導體材料作為雷射工作物質的雷射器稱為半導體雷射器,P-N結電注入型半導體雷射器又稱為雷射二級管(Diode),或LD。半導體材料可以是...
1961年,巴索夫又提出p-n結注入式雷射器的原理,發表於蘇聯《實驗與理論物理》...據此,好幾個研究組在1962年先後製成了半導體雷射器。巴索夫用砷化鎵(GaAs)在7...