砷化鎵光電池

大多採用液相外延法或MOCVD技術製備。用GaAs作襯底的光電池效率高達29.5%（一般在19.5%左右），產品耐高溫和輻射，但生產成本高，產量受限，目前主要作空間電源用。以矽片作襯底，用MOCVD技術異質外延方法製造GaAs電池是降低成本很有希望的方法。

GaAs（砷化鎵）光電池大多採用液相外延法或MOCVD技術製備。用GaAs作襯底的光電池效率高達29.5%（一般在19.5%左右），產品耐高溫和輻射，但生產成本高，產量受限，目前主要作空間電源用。以矽片作襯底，用MOCVD技術異質外延方法製造GaAs電池是降低成本很有希望的方法。