砷化稼錮單晶

砷化稼錮單晶是周期表第m、V族元素化合物半 導體二是一種混合品體，共價鏈結合，有一定離子鍵成分。立 方晶系閃鋅礦型結構。為直接帶隙半導體，禁頻寬度在 0.356~l.42eV範圍內。空穴遷移率0.8冰10一2m2/(V·s)。 採用區域熔煉，外廷法製備。用於製作近紅外發光器件和激 光器件.

基本介紹

• 中文名：砷化稼錮單晶
• 類型：化學物質