《科學前沿叢書》序
本書序
前言
第1章 Si1-xGex/Si合金應變層及超晶格的基本性質
1.1 Si1-xGex合金應變層內的應力
1.2 Si1-xGex/Si異質材料的共度生長臨界厚度
1.3 Si1-xGex/Si應變層超晶格的應變特性
1.4 Si1-xGex/Si異質結構的能帶排列
1.5 Si1-xGex/Si量子阱和超晶格的電子態
第2章 Si分了束外延生長技術
2.1 Si分子束外延設備簡介
2.2 原位分析與監控
2.4 Si、Ge材料的外延生長
第3章 Si1-xGex/Si超晶格、量子阱的結構表征
3.2 透射電子顯微觀察
3.3 盧瑟福背散射譜
第4章 Si1-xGex/Si低維結構材料的電學性質
4.1 Si1-xGex/Si量子阱結構的C-V特性
4.2 量子井結構的導納譜研究
4.3 用異納譜研究Si1-xGex/Si量子阱中的
量子限制效應4.4 用DLTS研究Si分子束外延層的界面缺陷
第5章 Si1-xGex/Si異質結構和超晶格的光學特性
5.1 Si1-xGex/Si超晶格的光散射特性
5.2 Si1-xGex/Si量子阱的發光特性
5.3 Si1-xGex/Si異質結構的吸收、調製反射和非線性光譜
第6章 Si基Ge量子點材料
6.1 Si基Ge量子點材料的生長、表征及其發光特性
6.2 Si基Ge量子點的能級結構和庫侖荷電效應
6.3 Si基Ge量子點的空穴俘獲過程的研究
第7章 Si1-xGex/Si分子束外延材料的器件套用
7.1 Si1-xGex/Si基區HBT
7.2 Si1-xGex/Si埋溝MOS場效管
7.3 P+-Si1-xGex/Si異質結內光電發射型紅外探測器
7.4 Si1-xGex/Si多量子阱型探測器
7.5 Si1-xGex/Si光電積體電路
索引