矽鍺低維材料可控生長

內容簡介

《矽鍺低維材料可控生長》首先簡要介紹低維異質半導體材料及其物理性質，概述刻蝕和分子束外延生長兩種基本的低維半導體材料製備方法，簡要說明了分子束外延技術設備的工作原理和低維異質結構的外延生長過程及其工藝發展。接著分別從熱力學和動力學的角度詳細闡述了矽鍺低維結構的外延生長機理及其相關理論，重點討論了圖形襯底上的矽鍺低維結構可控生長理論和矽鍺低維結構的可控外延生長技術，並結合豐富的矽鍺納米結構可控生長實例，詳細討論圖形矽襯底和斜切矽襯底上低維材料的可控外延生長及其生長機理。*後，簡要介紹可控矽鍺低維結構的光電特性及其器件與集成套用研究，並展望基於可控外延生長量子點的新型器件。

圖書目錄

叢書序

前言

第1章低維半導體材料及其物理性質 1

1.1 異質結構的能帶排列和帶階 1

1.2 量子阱與超晶格 4

1.3 量子點 9

1.4 量子環 10

參考文獻 12

第2章低維半導體材料製備方法概述 13

2.1 低維半導體材料刻蝕技術簡介 13

2.2 分子束外延生長技術 20

2.3 低維半導體材料的自組織外延生長 30

2.4 本章小結 39

參考文獻 39

第3章矽鍺低維結構的生長理論 42

3.1 矽鍺低維結構的熱力學理論 42

3.2 圖形襯底上矽鍺量子點生長動力學理論 48

3.3 小應力下薄膜外延生長機制 52

3.4 本章小結 58

參考文獻 58

第4章矽鍺低維結構的可控生長技術 60

4.1 圖形襯底輔助外延技術 60

4.2 斜切Si襯底表面外延技術 83

4.3 後處理形貌控制技術 93

4.4 本章小結 100

參考文獻 100

第5章圖形矽襯底上矽鍺可控外延生長 105

5.1 有序排布矽鍺納米島 105

5.2 可控矽鍺納米島外延結構 127

5.3 其他矽鍺低維納米結構生長控制 131

5.4 本章小結 138

參考文獻 138

第6章斜切Si襯底上矽鍺可控外延生長 141

6.1〈1 1 0〉方向斜切Si襯底上矽鍺量子點的可控生長 141

6.2 斜切Si（1 1 10）襯底上矽鍺納米線的可控生長 148

6.3〈1 0 0〉方向斜切襯底上矽鍺納米線的可控生長 159

6.4 本章小結 169

參考文獻 170

第7章可控矽鍺低維結構的光電特性 172

矽鍺低維材料可控生長

基本介紹

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