基本介紹
- 中文名：矽材料國家重點實驗室（浙江大學）
- 外文名：State Key Laboratory of Silicon Materials, Zhejiang University
- 開放時間：1988年
- 獎項：國家自然科學二等獎
研究領域,研究特色,人才培養,未來發展,所獲榮譽,
研究領域
重點實驗室堅持長期、系統、穩定地工作，在以矽為核心的半導體材料領域，包括半導體矽材料、半導體薄膜材料以及複合半導體材料等研究方向，已成為國家在矽材料及半導體材料方面的科學研究創新及高級人才培養的主要基地之一，也是對外學術交流的重要視窗。上世紀50年代初，浙江大學就開始了半導體矽材料的研究，從研究室、研究所到國家重點實驗室，不斷發展壯大，並取得了一系列重要成果。在矽烷法製備多晶矽提純技術、直拉矽單晶生長技術、探測器級高純矽單晶、矽單晶的電學測量、減壓充氮直拉矽單晶技術、微氮直拉矽單晶缺陷基礎研究等方面取得了重大成果，曾獲國家自然科學二等獎1項（2005年）、國家發明二等獎l項（1989年）、三等獎2項，浙江省重大科技進步貢獻獎1項，何梁何利科技獎1項，中國青年科技獎1項，以及省部級科技進步獎10餘項。
矽材料國家重點實驗室（浙江大學）
國家重點實驗室一直堅持“產、學、研”緊密結合。在微電子用半導體材料領域，從70年代開始就建立了產業基地，將科技成果成功地轉化為生產力，培育出寧波立立電子、浙江海納半導體等國內矽材料的龍頭企業，取得顯著經濟效益。在大直徑矽單晶生長、加工和缺陷工程等基礎研究方面，在國際矽材料學術界占有獨特的地位。在上世紀90年代初，重點實驗室研究領域開始拓寬，建立了半導體薄膜材料研究方向。92年研製了國內第一台超高真空CVD外延設備，開闢了一個利用超高真空CVD新技術低溫生長優質半導體薄膜材料的研究領域。在利用超高真空CVD低溫外延技術生長優質薄矽外延片和新穎鍺矽合金材料方面取得很大進展。在寬禁帶GaN、ZnO單晶薄膜異質結構生長、ZnO的P型摻雜關鍵技術解決及ZnO紫外探測器的製備等方面已取得了突破性進展，獲得國家自然科學二等獎1項（2007年）、浙江省科技進步獎2項（2006年，2007年），為研發新一代半導體材料作出了重要的基礎研究工作。
在90年代末，重點實驗室開拓了複合半導體光功能材料、納米材料、玻璃表面功能薄膜製備等新功能材料與結構構造等方面的新研究方向，並在有機半導體材料、有機光導鼓和有機/無機複合雷射材料與器件、玻璃線上鍍膜、納米材料與電子陶瓷器件產業化方面取得重要進展。獲得了國家科學技術進步二等獎1項（2008年），省部級科技進步獎8項，為相關領域的基礎研究和技術進步做出了重要貢獻。
近5年來，重點實驗室共承擔國家與省部級縱向科研項目173項，總經費1.1億，實到經費5200萬元。其中，包括國家“973”首席項目1項，二級課題4項，共5項；國家自然科學基金55項，其中重點項目6項；國家863項目10項，省部級項目79項，國際合作項目多項。5年來，重點實驗室共有17項科研成果獲得獎勵，其中國家自然科學二等獎2項；浙江省科技一等獎6項，省部級科技二等獎7項；國際學術獎勵2項。發表學術論文1192餘篇，被SCI收錄867篇，國際公認權威期刊（IF＞3.0）120餘篇，論文被SCI累積他引用4000餘次；授權發明專利111項。實驗室擁有一系列先進的半導體材料生長、加工和性能測試分析的大型設備與儀器。在晶體生長和薄膜製備方面，擁有先進的CG6000大直徑矽單晶生長爐、超高真空CVD外延設備以及MOCVD、液相外延爐、磁控濺射和熱蒸發薄膜生長設備等。在半導體分析測試方面，擁有Bede D1光衍射儀器、SSM—350擴展電阻儀，傅立葉紅外光譜儀、CM200型超高分辨透射電子顯微鏡、Hitachi S4800場發射掃描電鏡、Edinburgh FLS920 螢光光譜測量系統和HL5500半導體材料霍爾參數測試儀等大型測試設備。
研究特色
實驗室主要從事矽單晶材料及半導體材料的基礎科學與套用基礎研究，己形成自己的特色，主要研究方向如下：（1）半導體矽材料的晶體生長，晶體加工和缺陷工程；（2）半導體薄膜生長、物性評價及器件套用研究；（3）複合半導體光電功能材料研究；
人才培養
實驗室現有骨幹固定研究人員23人，其中中國科學院院士1人，教授、研究員共22人(具博士學位19人)，優秀中青年人才10人次。國家“傑出青年科學基金”獲得者5名，國家“百千萬”人才工程計畫2名，國家教育部“跨世紀、新世紀優秀人才”6名。另外，實驗室有管理人員3人，有流動的研究人員20多人。
重點實驗室學術委員會主任是褚君浩院士，主任是楊德仁教授，副主任是錢國棟、朱麗萍教授，主任助理是洪樟連副教授。在學科帶頭人闕端麟院士指導下，實驗室擁有一支以中青年骨幹為主，老、中、青相結合的精幹科技隊伍。實驗室重視人才培養和研究隊伍建設。5年來培育和引進了4位國家傑出青年基金獲得者，晉升了5位教授，培養了10位優秀中青年學者和一個教育部“創新團隊”。已為國家培養了博士生98名（其中全國百篇優秀博士論文1篇，提名獎3篇），碩士生246人，博士後出站14人，實驗室除了在學術上關心研究生外，還在生活上提供一定的幫助。
未來發展
重點實驗室將堅持長期、系統、穩定的工作。以矽為核心的半導體材料的基礎研究和套用領域：在堅持微電子用大直徑矽單晶晶體生長、加工和缺陷工程研究的基礎上，著重拓展矽外延、太陽能矽材料、矽基光電子材料以及納米矽材料的研究；半導體薄膜領域：在堅持ZnO薄膜生長和摻雜特色的基礎上，重點開展半導體薄膜在LED照明領域的套用；複合半導體領域：在堅持有機－無機複合光電子材料和器件研究的同時，重點開展有機－有機，無機－無機複合光電子、光功能材料的基礎研究和套用。
在此基礎上，圍繞信息和能源材料的功能構造，進一步拓寬學科領域，加強電子信息材料、磁性材料、太陽能電池材料以及其它能源與環境材料等一批國民經濟發展迫切需要的新型功能材料的研究。以國際前沿的基礎科學問題，國家重大需求的關鍵技術攻關等為導向，提高基礎研究水平，做出創新成果。
所獲榮譽
2019年3月，被科技部在2018年工程領域和材料領域國家重點實驗室評估結果為材料領域良好類實驗室。
