《矽基磁性半導體的製備及其磁學和電子學性質研究》是依託南京大學，由張鳳鳴擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：矽基磁性半導體的製備及其磁學和電子學性質研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：張鳳鳴
- 依託單位：南京大學
- 批准號：10474037
- 申請代碼：A2007
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2005-01-01 至 2007-12-31
- 支持經費：28（萬元）
項目摘要
在我們已成功製備出鐵磁居里溫度高於400K的摻有5%Mn的多晶Si材料的工作基礎上，研究摻雜條件，如元素/離子（包括Mn、Cr等）、摻雜量以及後續處理工藝等，對Si基磁性半導體材料的磁學和半導體性質的影響；同時，結合到該類材料在不同納米結構條件下的特性，研究這些性質的相互關係及其物理機制，增進人們對該類體系的了解，為開發出具有實用意義的Si基磁性半導體材料作有力的探索。Si材料已在現代微電子領域得到了廣泛的套用，其半導體性質已為人們所廣泛了解，其成熟的工藝技術也為該方面的新型功能器件的開發提供了現成的技術平台。因此，與目前所發現的其它磁性半導體材料(如Mn-GaAs, GaMnP:C和Mn-GaN以及Mn-Ge等)相比,Si基磁性半導體有其獨特的優勢。通過研究以Si材料為基礎的磁性半導體將有可能使得同時利用材料的磁性和電子學性質的自旋半導體器件的實際套用更為可行。
