《矽器件中場致線性電光效應研究》是依託吉林大學，由陳占國擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：矽器件中場致線性電光效應研究
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：陳占國
- 依託單位：吉林大學
- 批准號：60506016
- 申請代碼：F0405
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2006-01-01 至 2008-12-31
- 支持經費：23（萬元）
項目摘要
絕大多數的矽器件中存在著PN結或肖特基勢壘等空間電荷區，空間電荷區內具有很強的內建電場，內建電場將破壞矽材料的反演對稱性，使反演對稱中心消失，從而使矽材料具有場致線性電光效應。至今，國內外從未報導過這方面研究。本項研究將從理論上得出場致線性電光效應同電光克爾效應和自聚焦效應的區別與聯繫，推導出場致線性電光張量的具體形式。用半絕緣矽材料為襯底，製備出具有良好肖特基勢壘的共面波導、共面線和微帶線結構器件，並以此為樣品，構造各種電光振幅調製器，從實驗上直接證實矽器件中存在場致線性電光效應。我們還將進一步測定電光調製器的半波電壓，結合理論運算，確定其電光係數的大小。以此為基礎，建立能夠測量矽器件內部交流電信號的直接電光檢測實驗系統，為最終測試矽基積體電路及其它矽基電子器件作好準備。本項研究將有力推動矽材料在光電子學領域中的套用，為開發、研製及分析新型矽基光電器件和電子器件提供重要的理論和實驗依據。
