《基於場致線性電光效應的高速矽基電光調製器的研究》是依託吉林大學，由陳占國擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：基於場致線性電光效應的高速矽基電光調製器的研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：陳占國
- 依託單位：吉林大學
- 批准號：60976043
- 申請代碼：F0403
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2010-01-01 至 2010-12-31
- 支持經費：10（萬元）
項目摘要
矽基電光調製器是發展矽基集成光學和光電混合集成技術中的關鍵部件，它不僅是未來光交叉互連和光分插復用系統的核心器件，而且在未來的晶片光互聯和光計算技術中也具有重要的套用前景，因此開展矽基電光調製器的研究具有重要意義。由於理想的矽材料不具有線性電光效應，這正是限制矽基電光調製器的發展，乃至制約矽基光電子學發展的主要障礙。我們已證實，應變場和直流電場可以破壞矽材料的反演對稱性，從而使其產生可觀的場致線性電光效應。本課題就是要基於應變場和直流電場誘導的場致線性電光效應，研製出性能優良的高速矽基電光調製器。這將是一種基於全新工作機理的矽基電光調製器，理論上，其調製頻率可達100GHz。我們還將探索新的器件結構、電極結構和新工藝，力求研製出結構合理、工藝簡單、適合於矽基光子集成和矽基光電混合集成的高速矽基電光調製器。本申請課題將有望消除制約矽基光電子學發展的主要障礙，為矽基光電子學的發展作出重大貢獻。
