《用直接鍵合技術製備的雙包層平板波導雷射器的研究》是依託天津大學，由楊天新擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：用直接鍵合技術製備的雙包層平板波導雷射器的研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：楊天新
- 依託單位：天津大學
- 批准號：60578022
- 申請代碼：申請代碼
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2006-01-01 至 2008-12-31
- 支持經費：24（萬元）
項目摘要
本項目擬研製一台Nd:YAG雙包層平面波導雷射器，預期該雷射器在2個20W線陣列半導體雷射器的泵浦下，其連續輸出功率在波長為1.06微米處達到8W。. 完成本研究內容的意義有兩點。其一在於將雙包層光纖雷射器的物理思想移植到平板波導雷射器中，通過建立內包層，使平板波導雷射器接收泵浦光的數值孔徑大大增加，從而可以有效地增加泵光的耦合效率；同時不會減弱波導雷射器的芯層對雷射振盪模式的束縛能力，使其雷射輸出光束質量不會因此而惡化。其二在於本項目中製備波導的直接鍵合技術是一項有推廣潛力的新技術。它是通過成熟的精拋技術讓不同種晶體表面靠分子的范德瓦爾斯力鍵合在一起，因此對波導中各種材料的晶格是否匹配並不敏感；另外，這項技術不需要專用的真空濺射或外延生長設備就可以製備折射率突變的界面；而常用的離子交換技術雖然簡單廉價，但是只能產生折射率漸變的界面，波導的損耗較大。
