王霆(中國科學院物理研究所副研究員)

男，中國科學院物理研究所副研究員，入選中科院"百人計畫”，現為納米器件與物理9組（N09）的職工，主要從事半導體量子材料的生長、物性和器件研究。

基本介紹

• 中文名：王霆
• 國籍：中國
• 民族：漢
• 出生日期：1985年 
• 職業：中科院物理所副研究員（N09）
• 畢業院校：倫敦學院大學（University College London）

主要研究方向：

主要研究領域為矽基光電納米材料的生長製備、光電現象和器件，比如，矽基光pump雷射器，電pump雷射器，MicroCavity Laser ,Disk Laser以及相關無源器件等。

主要學術貢獻：

1. 實現了世界首例高性能鍺基以及矽基低閾值電流密度1.3微米InAs/GaAs量子點雷射器的室溫連續激射，

2. 解決了多年矽基光電子集成無相應光源的重大科學問題。

教育經歷：

2008/10-2012/05, 倫敦學院大學（University College London）, 博士PhD，導師：Prof. Alwyn Seeds
2007/09-2008/09，謝菲爾德大學（University of Sheffield）, 碩士 Msc, 導師：Prof. Maurice Skolnick
2004/10-2007/06, 南安普頓大學（University of Southampton）, 學士 BEng, 導師：Prof. Greg Parker

研究經歷：

2014/09-現在， 中國科學院物理研究所，副研究員　

2012/10-2014/08，新加坡麻省理工國際設計中心（MIT International Design Center）, 博士後,

合作導師：Prof. Dawn Tan

目前所在課題組的研究課題及培養情況:

目前王霆副研究員和張建軍研究員為同一個課題組（N09組），目前組內主要研究方向和展望為：

(1)矽基半導體量子晶片材料，包括可控生長低維鍺納米結構和矽鍺異質結構等；

(2)矽基光電子材料的生長和器件，包括全IV族高效發光材料的生長探索及IV族矽鍺和III-V族材料界面可控的混合生長和光電子器件研究；

(3)低維量子材料如Ge/Si, InAs/GaAs量子線的可控生長及界面調控的異質結構生長與物性研究。基礎研究上期待在常規半導體中發現新的物理現象，套用研究上期待實現矽基高效雷射光源和相應器件集成。

培養情況為：

現有學生10名左右，課題組氛圍民主和諧融洽，以學生為本的原則培養學生。每年招收碩博生或博士生2-3名，常年招收動手能力強，踏實肯乾，有相關背景（物理，材料，電子工程）的碩士博士生和博士後。