《片式複合元器件及其製備方法》是廣東風華高新科技股份有限公司於2016年9月30日申請的專利，該專利的公布號為CN106384681A，授權公布日為2017年2月8日，發明人是陸亨、李江竹、聶琳琳、李鴻剛、楊曉東、卓金麗、曾雨、梁欽華。
《片式複合元器件及其製備方法》公開了一種片式複合元器件及其製備方法。一種片式複合元器件包括：陶瓷體，陶瓷體包括：第一介質層具有相對的第一表面及第二表面；第一電極層，形成於所述第一介質層的第一表面；第二電極層，形成於所述第一介質層的第二表面，所述第二電極層與所述第二表面的一條邊至少部分平齊形成引出邊；第二介質層，層疊於第二電極層的表面且完全覆蓋第二表面；第三電極層，形成於第二介質層遠離第一介質層的一側表面，第三電極層在第二電極層的正投影完全落入第二電極層，電阻，附著在陶瓷體的一側，電阻與第一電極層及第二電極層電連線，且電阻與第三電極層絕緣。這種片式複合元器件結構緊湊。
2020年7月14日，《片式複合元器件及其製備方法》獲得第二十一屆中國專利獎優秀獎。
（概述圖為《片式複合元器件及其製備方法》摘要附圖）
基本介紹
- 中文名：片式複合元器件及其製備方法
- 申請人：廣東風華高新科技股份有限公司
- 申請日：2016年9月30日
- 申請號：2016108822022
- 公布號：CN106384681A
- 公布日：2017年2月8日
- 發明人：陸亨、李江竹、聶琳琳、李鴻剛、楊曉東、卓金麗、曾雨、梁欽華
- 地址：廣東省肇慶市風華路18號風華電子工業城
- Int. Cl.：H01G17/00(2006.01)I
- 代理機構：廣州華進聯合專利商標代理有限公司
- 代理人：吳平
- 類別：發明專利
專利背景,發明內容,專利目的,技術方案,改善效果,附圖說明,技術領域,權利要求,實施方式,榮譽表彰,
專利背景
隨著科技的發展，電子產品日新月異，對元器件的主要要求是小型化和多功能化。在許多電路套用中，需要使用電阻和電容串聯結構的電路時，一般使用分立元件，即單個電阻和單個電容，這樣占用較多的電路空間，不利於整機的小型化，並且貼裝效率較低。
發明內容
專利目的
《片式複合元器件及其製備方法》提供一種結構緊湊的電阻電容串聯的片式複合元器件及其製備方法。
技術方案
一種片式複合元器件，包括：陶瓷體，所述陶瓷體為矩形體，所述陶瓷體包括：第一介質層，所述第一介質層具有相對的第一表面及第二表面；第一電極層，形成於所述第一介質層的第一表面；第二電極層，形成於所述第一介質層的第二表面，所述第二電極層與所述第二表面的一條邊至少部分平齊形成引出邊；第二介質層，層疊於所述第二電極層的表面且完全覆蓋所述第二表面；第三電極層，形成於所述第二介質層遠離所述第一介質層的一側表面，所述第三電極層在所述第二電極層的正投影完全落入所述第二電極層，電阻，附著在所述陶瓷體的一側，所述電阻通過所述引出邊與所述第一電極層及所述第二電極層電連線，且所述電阻與所述第三電極層絕緣。
在其中一個實施例中，所述第二電極層覆蓋所述第二表面的部分區域；及/或，所述第一電極層在所述第二表面的正投影與所述第二電極層完全重合。
在其中一個實施例中，所述第一電極層與所述第一表面的一條邊至少部分平齊形成引出邊，所述第一電極層的引出邊與所述第二電極層的引出邊位於所述第一介質層的同一端。
在其中一個實施例中，所述第一介質層為矩形片狀，所述第一表面包括相對的第一側邊及第二側邊，所述第二表面包括相對的第三側邊及第四側邊，所述第一側邊與所述第三側邊位於所述第一介質層的同一端，所述第一電極層自所述第一側邊向所述第二側邊延伸，所述第二電極層自所述第三側邊向所述第四側邊延伸。
在其中一個實施例中，所述第二介質層遠離所述第一介質層的一側表面包括相對的第五側邊及第六側邊，所述第五側邊與所述第三側邊位於所述第一介質層的同一端，所述第三電極層與所述第五側邊及所述第六側邊之間設有預定間隙。
在其中一個實施例中，所述第二電極層與所述第二表面的另外兩條側邊之間形成有寬度為0毫米～0.5毫米的間隙。
在其中一個實施例中，所述第三電極層與所述第二介質層遠離所述第一介質層的一側表面的另外兩條側邊之間形成寬度為0毫米～0.5毫米的間隙。
在其中一個實施例中，所述第二表面為矩形，所述第二電極層為十字形，所述第二表面的四個角未被所述第二電極層覆蓋。
《片式複合元器件及其製備方法》包括步驟：在澱粉膜表面製備第一電極層；在所述第一電極層的表面層疊第一介質層；在所述第一介質層的表面製備第二電極層；在所述第二電極層的表面層疊第二介質層；在所述第二介質層的表面製備第三電極層得到層疊基板；將所述層疊基板壓合得到層疊體；對所述層疊體進行排粘和燒結得到陶瓷體；在所述陶瓷體的一個側面形成電阻得到片式複合元器件。在其中一個實施例中，所述第一介質層和第二介質層的材質相同。
改善效果
上述片式複合元器件，將電阻貼附在陶瓷體的側面即可實現電阻與第一電極層及第二電極層之間的電連線。第二電極層、第三電極層與第二介質層形成電容器，位於第一電極層及第二電極層之間的那部分電阻與電容器組成串聯結構，從而把電阻和電容集成到單個元件中，電阻直接貼附在陶瓷體的側面，由第一電極層及第三電極層與外部線路形成電連線即可，結構簡單且緊湊，可實現片式複合元器件的小型化，第一電極層及第三電極層位於片式複合元器件的表面，使得片式複合元器件可通過具有較大的表面積的第一電極層及第三電極層與外部電路形成電連線。
附圖說明
圖1為一實施方式的片式複合元器件的立體組裝結構示意圖；
圖2為圖1中的片式元器件的陶瓷體的分解示意圖；
圖3為另一實施方式的片式複合元器件的立體組裝結構示意圖；
圖4為圖3中的片式元器件的陶瓷體的分解示意圖。
技術領域
《片式複合元器件及其製備方法》涉及電子元件領域，尤其是涉及一種片式複合元器件及其製備方法。
權利要求
1.一種片式複合元器件，其特徵在於，包括：陶瓷體，所述陶瓷體為矩形體，所述陶瓷體包括：第一介質層，所述第一介質層具有相對的第一表面及第二表面；第一電極層，形成於所述第一介質層的第一表面；第二電極層，形成於所述第一介質層的第二表面，所述第二電極層與所述第二表面的一條邊至少部分平齊形成引出邊；第二介質層，層疊於所述第二電極層的表面且完全覆蓋所述第二表面；第三電極層，形成於所述第二介質層遠離所述第一介質層的一側表面，所述第三電極層在所述第二電極層的正投影完全落入所述第二電極層，電阻，附著在所述陶瓷體的一側，所述電阻與所述第一電極層及所述第二電極層電連線，且所述電阻與所述第三電極層絕緣。
2.如權利要求1所述的片式複合元器件，其特徵在於，所述第二電極層覆蓋所述第二表面的部分區域；及/或，所述第一電極層在所述第二表面的正投影與所述第二電極層完全重合。
3.如權利要求1所述的片式複合元器件，其特徵在於，所述第一電極層與所述第一表面的一條邊至少部分平齊形成引出邊，所述第一電極層的引出邊與所述第二電極層的引出邊位於所述第一介質層的同一端。
4.如權利要求1所述的片式複合元器件，其特徵在於，所述第一介質層為矩形片狀，所述第一表面包括相對的第一側邊及第二側邊，所述第二表面包括相對的第三側邊及第四側邊，所述第一側邊與所述第三側邊位於所述第一介質層的同一端，所述第一電極層自所述第一側邊向所述第二側邊延伸，所述第二電極層自所述第三側邊向所述第四側邊延伸。
5.如權利要求4所述的片式複合元器件，其特徵在於，所述第二介質層遠離所述第一介質層的一側表面包括相對的第五側邊及第六側邊，所述第五側邊與所述第三側邊位於所述第一介質層的同一端，所述第三電極層與所述第五側邊及所述第六側邊之間設有預定間隙。
6.如權利要求4所述的片式複合元器件，其特徵在於，所述第二電極層與所述第二表面的另外兩條側邊之間形成有寬度為0毫米～0.5毫米的間隙。
7.如權利要求5所述的片式複合元器件，其特徵在於，所述第三電極層與所述第二介質層遠離所述第一介質層的一側表面的另外兩條側邊之間形成寬度為0毫米～0.5毫米的間隙。
8.如權利要求1所述的片式複合元器件，其特徵在於，所述第二表面為矩形，所述第二電極層為十字形，所述第二表面的四個角未被所述第二電極層覆蓋。
9.如權利要求1～8任一項所述的片式複合元器件的製備方法，其特徵在於，包括步驟：在澱粉膜表面製備第一電極層；在所述第一電極層的表面層疊第一介質層；在所述第一介質層的表面製備第二電極層；在所述第二電極層的表面層疊第二介質層；在所述第二介質層的表面製備第三電極層得到層疊基板；將所述層疊基板壓合得到層疊體；對所述層疊體進行排粘和燒結得到陶瓷體；在所述陶瓷體的一個側面形成電阻得到片式複合元器件。
10.如權利要求9所述的片式複合元器件的製備方法，其特徵在於，所述第一介質層和第二介質層的材質相同。
實施方式
同時參閱圖1及圖2，一實施方式的片式複合元器件100包括陶瓷體110及形成於陶瓷體110一側的電阻150。
陶瓷體110為矩形體，在圖示的實施方式中，陶瓷體110大致為長方體，當然，在其他實施例中，陶瓷體110還可以為正方體。陶瓷體110包括第一電極層112、第一介質層111、第二電極層113、第二介質層114及第三電極層115，第一電極層112、第一介質層111、第二電極層113、第二介質層114及第三電極層115依次層疊。
在圖示的實施方式中，第一介質層111為矩形片狀，具有相對的第一表面（圖未示）及第二表面1112。第一介質層111的厚度對複合片式元件100的電容量不產生影響，因此可以通過調整第一介質層111的厚度調整片式複合元器件100的整體厚度，便於片式複合元器件100獲得較寬的電容量範圍。當然，在其他實施方式中，第一介質層111還可以為正方形片狀或其他形狀。
第一表面具有相對的第一側邊及第二側邊。在圖示的實施方式中，第一表面為矩形，第一側邊及第二側邊為矩形的短邊。
第二表面1112具有相對的第三側邊及第四側邊。在圖示的實施方式中，第二表面1112為矩形，第三側邊及第四側邊為矩形的短邊。
第一電極層112層疊於第一表面。第一電極層112自第一側邊向第二側邊延伸。在圖示的實施方式中，第一電極層112為矩形，自第一側邊延伸至第二側邊，第一電極層112的長度與第一表面的長度相同，第一電極層112的寬度小於第一表面的寬度，第一電極層112與第一表面的另外兩條邊之間形成有寬度為0毫米～0.5毫米的間隙。在圖示的實施方式中，間隙具有一定的寬度，當然在其他實施例中，間隙的寬度可以為0，也就是第一電極層112覆蓋第一表面的全部表面。第一電極層112與第一側邊及第二側邊平齊的兩條邊為引出邊，在優選的實施例中，兩條引出邊的長度相等。第一電極層112具有較大的面積以便於與外部線路形成電連線。
第二電極層113層疊於第二表面1112。第二電極層113自第三側邊向第四側邊延伸。在圖示的實施方式中，第二電極層113為矩形，自第三側邊延伸至第四側邊，第二電極層113的長度與第二表面1112的長度相同，第二電極層113的寬度小於第二表面1112的寬度，第二電極層113與第二表面1112的另外兩條邊之間形成寬度為0毫米～0.5毫米的間隙。在圖示的實施方式中，間隙具有一定的寬度，當然在其他實施例中，間隙的寬度可以為0，也就是第二電極層113覆蓋第二表面1112的全部表面。第二電極層113與第三側邊及第四側邊平齊的兩條邊為引出邊，在優選的實施例中，兩條引出邊的長度相等。在圖示的實施方式中，第一電極層112在第二表面1112的正投影與第二電極層113完全重合。第二電極層113沒有覆蓋第二表面的全部面積，從而可以增大第二介質層114和第一介質層111之間的粘合力。
在圖示的實施方式中，第一電極層112的兩條引出邊、第二電極層113的兩條引出邊的長度相同，並且第一電極層112的兩條引出邊在第二電極層113上的正投影與第二電極層113的兩條引出邊完全重合，如此，不論電阻150附著在陶瓷體110的第二電極層113的兩條引出邊所在的兩個側面中的任一個側面，片式複合元件100的電阻值不會產生差異。當然在其他實施方式中，第一電極層112也可不延伸至第二側邊，此時第一電極層112與第一側邊平齊的邊形成一條引出邊，第二電極層113也可不延伸至第四側邊，此時第二電極層113與第三側邊平齊的邊形成一條引出邊。
第二介質層114層疊於第二電極層113的表面。第二介質層114為矩形片狀，在圖示的實施方式中，第二介質層114完全覆蓋第二電極層113及第二表面1112的表面。第二介質層114遠離第一介質層111的一側表面大致為矩形，具有相對的第五側邊及第六側邊，第五側邊及第六側邊為短邊。在圖示的實施方式中，第一側邊、第三側邊及第五側邊位於陶瓷體110的第一端，第二側邊、第四側邊及第六側邊位於陶瓷體110的第二端。
第三電極層115形成於第二介質層114遠離第一介質層111的一側表面。第三電極層115在第二電極層113上的正投影完全落入第二電極層113，如此則第三電極層115和第二電極層113的正對面積不易發生偏差。在圖示的實施方式中，第三電極層115為矩形，第三電極層115與第五側邊及第六側邊之間形成寬度為0.2毫米～0.5毫米的間隙，第三電極層115與第二介質層114遠離第一介質層111的一側表面的另外兩條邊之間形成寬度為0毫米～0.5毫米的間隙，優選的，間隙寬度為0.2毫米～0.5毫米。當然，在其他實施例中，第三電極層115可以完全覆蓋第二介質層114遠離第一介質層111的一側表面。
第一電極層112、第一介質層111、第二電極層113、第二介質層114及第三電極層115依次層疊形成長方體的陶瓷體110。優選的，陶瓷體110的長度比寬度及厚度大0.2毫米以上。
電阻150附著在陶瓷體110的一側，電阻150與第一電極層112及第二電極層113電連線，且與第三電極層115絕緣。在圖示的實施方式中，電阻150附著在第一側邊或第二側邊所在的一端，從而通過第一電極層112的引出邊及第二電極層113的引出邊與第一電極層112及第二電極層113電連線。由於第三電極層115與第五側邊及第六側邊之間形成寬度為0.2毫米～0.5毫米的間隙，第三電極層115與電阻150之間絕緣，當然，當第三電極層115與第五側邊及第六側邊之間的間隙還可以為0，或在其他實施方式中第三電極層115覆蓋第二介質層114遠離第一介質層111的表面的整個表面，此時，只需要在第三電極層115與電阻150之間進行絕緣處理即可。
上述片式複合元器件100，第一電極層112從第一側邊向第二側邊延伸，第二電極層113從第三側邊向第四側邊延伸，從而，將電阻150貼附在第一側邊所在的陶瓷體110的側面即可實現電阻150與第一電極層112及第二電極層113之間的電連線；將第三電極層115與第六側邊之間有間隙，實現電阻150與第三電極層115的絕緣設定；第二電極層113、第三電極層115與第二介質層114形成電容器，位於第一電極層112及第二電極層113之間的那部分電阻與電容器組成串聯結構，從而把電阻和電容集成到單個元件中，電阻150直接貼附在陶瓷體110的側面，由第一電極層112及第三電極層114與外部線路形成電連線即可，結構簡單且緊湊，可實現小型化；通過調整第二電極層113及第三電極層115的正對面積、第二介質層114的厚度及介電常數可以方便的獲得不同電容量；通過調節電阻150的電阻率，第一介質層111的厚度和第一電極層112的引出邊的長度可以調整電阻值；通過調整第一介質層111和第二介質層114的厚度可以方便的調整片式複合元器件100的厚度，從而增加通用性。
需要說明的是，在其他的實施方式中，第一電極層112可以不延伸至第一表面的任意一條邊，也就是第一電極層112不具有引出邊，此時電阻150向第一表面延伸從而與第一電極層112接觸而電連線即可。
上述片式複合元器件的製備方法，包括以下步驟：
步驟S210、製備澱粉膜。
在該實施方式中，將澱粉、第一粘合劑和第一溶劑混合均勻得到澱粉漿料，以澱粉漿料為原料製備澱粉膜。
優選的，採用球磨的方式將澱粉、第一粘合劑和第一溶劑混合均勻得到澱粉漿料。進一步的，球磨的時間為3小時～4小時。
優選的，澱粉、第一粘合劑和第一溶劑的質量比為10:2.5～3:10～15。
優選的，澱粉為玉米澱粉。
優選的，第一粘合劑選自丙烯酸樹脂及聚乙烯醇縮丁醛中的至少一種。
優選的，第一溶劑為質量比為1:1～1.25:1的甲苯和無水乙醇的混合溶劑。
優選的，澱粉漿料還包括增塑劑，在一個實施例中，增塑劑為鄰苯二甲酸二辛酯（DOP）。進一步的，增塑劑與澱粉的質量比為1:20～1:10。
優選的，採用流延法將澱粉漿料流延形成澱粉膜。
優選的，澱粉膜的厚度為90微米～130微米。
步驟S220、製備陶瓷膜。
在該實施方式中，將陶瓷粉、第二粘合劑、第二溶劑混合均勻後得到陶瓷漿料，以陶瓷漿料為原料製備得到陶瓷膜。
優選的，將陶瓷粉、第二粘合劑、第二溶劑採用球磨的方式混合均勻得到陶瓷漿料。進一步的，球磨的時間為12小時～16小時。
優選的，陶瓷粉、第二粘合劑、第二溶劑的質量比為10:3～5:4～6。
優選的，陶瓷粉為鈦酸鋇陶瓷粉，當然，其他業內常用的陶瓷粉也可以。鈦酸鋇陶瓷粉具有較高的介電常數，使得製備的片式複合元器件的電容量範圍較寬。
優選的，第二粘合劑為聚乙烯醇縮丁醛，第二溶劑為質量比為1:1～1.5:1的甲苯和無水乙醇的混合溶劑。
優選的，採用流延法將陶瓷漿料流延形成陶瓷膜。
優選的，陶瓷膜的厚度為20微米～60微米。
步驟S230、在襯底表面層疊多個陶瓷膜，得到固定在襯底上的保護層。
優選的，襯底為不鏽鋼板，當然，其他強度和韌性合適的材料都可以作為襯底的材料。
優選的，保護層的厚度為0.2毫米～0.3毫米。
步驟S240、在保護層上層疊至少一個澱粉膜。
步驟S250、在澱粉膜的表面製備第一電極層。
該實施方式中，採用絲網印刷的方式在澱粉膜表面製備第一電極層。進一步的，採用絲網在澱粉膜表面印刷電極漿料，烘乾後得到層疊在澱粉膜上的第一電極層。
第一電極層的材料可以為銀、鈀或銀鈀合金。進一步的，鈀銀合金中鈀和銀的質量比並無特別限制。
優選的，電極漿料可以為銀漿料、鈀漿料或者銀鈀合金漿料。
優選的，在澱粉膜表面製備第一電極層時採用三點定位的方法來定位襯底。
優選的，第一電極層的厚度為1微米～3微米。
步驟S260、在第一電極層表面層疊至少一個陶瓷膜，得到層疊在第一電極層表面的第一介質層。
在該步驟中，根據第一介質層的設計厚度確定陶瓷膜的數量，從而可以達到所需要的厚度。
步驟S270、在第一介質層的表面製備第二電極層。
該實施方式中，採用絲網印刷的方式在第一介質層表面製備第二電極層。進一步的，採用絲網在第一介質層表面印刷電極漿料，烘乾後得到層疊在第一介質層上的第二電極層。該步驟中使用的絲網和步驟S250中使用的絲網可以相同也可以不同，當兩個步驟中使用的絲網相同時，該步驟中無需再次重新對位。
第二電極層的材料可以為銀、鈀或銀鈀合金。進一步的，鈀銀合金中鈀和銀的質量比並無特別限制。
優選的，電極漿料可以為銀漿料、鈀漿料或者銀鈀合金漿料。
優選的，第二電極層的厚度為1微米～3微米。
步驟S280、在第二電極層的表面層疊至少一個陶瓷膜，得到層疊在第二電極層表面的第二介質層。
在該步驟中，根據第二介質層的設計厚度確定陶瓷膜的數量，從而可以達到所需要的厚度。
步驟S290、在第二介質層的表面製備第三電極層得到層疊基板。
該實施方式中，採用絲網印刷的方式在第二介質層表面製備第三電極層。進一步的，採用絲網在第二介質層表面印刷電極漿料，烘乾後得到層疊在第二介質層上的第三電極層。
第三電極層的材料可以為銀、鈀或銀鈀合金。進一步的，鈀銀合金中鈀和銀的質量比並無特別限制。
優選的，電極漿料可以為銀漿料、鈀漿料或者銀鈀合金漿料。
優選的，第三電極層的厚度為1微米～3微米。
步驟S300、將層疊基板進行壓合得到層疊體。
在該實施方式中，壓合採用等靜壓法壓合，使層疊基板內各膜層緊密粘結以避免分層。
在該實施方式中，將層疊基板進行壓合後按照所需尺寸進行切割，之後與襯底分離得到層疊體。與襯底分離可以採用刀片將層疊體鏟下來，在該步驟中，保護層能保證第一電極層在此操作中不被刀片劃傷。
步驟S310、對層疊體進行排粘和燒結得到陶瓷體。
在其中一個實施例中，排粘的具體操作為：將層疊體加熱至350℃～450℃並保溫1～3小時。進一步的，排粘在空氣氣氛下進行。
在其中一個實施例，燒結的具體操作為：將排粘後的層疊體加熱至900℃～1320℃並保溫2小時～3小時進行燒結。進一步的，燒結在空氣氣氛下進行。
該步驟中，燒結時，澱粉膜灰化，使得保護層脫離。
燒結後得到的陶瓷體包括依次層疊的第一電極層、第一介質層、第二電極層、第二介質層及第三電極層。
步驟S320、在陶瓷體的一個側面形成電阻得到片式複合元器件。
在該實施方式中，通過浸漬的方式在陶瓷體的一個側面形成電阻。
需要說明的是，該步驟中所說的一個側面為第一側邊或第二側邊所在的側面。
優選的，採用合適的夾具比如封端板將陶瓷體固定，通過浸漬的方式將電阻漿料粘附在陶瓷體的一個側面，烘乾後燒結得到電阻。進一步的，燒結的溫度為840℃～850℃。進一步的，電阻漿料為釕系電阻漿料。進一步的，燒結在空氣氣氛下進行。進一步的，烘乾的溫度為140℃～150℃。
通過調節浸漬的深度，可以保證電阻漿料只粘附在陶瓷體110的目標表面上而不會延伸至與目標表面鄰接的其他四個表面，從而保證電阻150與第三電極層115絕緣；當然，也可以通過調整浸漬的深度，使電阻漿料粘附至第一表面，使得電阻150與陶瓷體110的第一電極層112形成電連線。
陶瓷體110的長度比陶瓷體110的寬度以及陶瓷體110的厚度大0.2毫米以上，可以保證陶瓷體110在夾具中的正確定位，即保證電阻漿料不會誤被粘附在陶瓷體110的其他表面上。
上述片式複合元器件的製備方法，工藝簡單。
需要說明的是，步驟S210和步驟S220的次序可以調換，也可以同步執行，當然，在其他實施方式中，澱粉膜和陶瓷膜也可以外購，則步驟S210及步驟S220可以省略。步驟S230可以省略，此時採用其他方式將層疊體自襯底分離即可。步驟S240可以省略，此時通過其他工藝直接在澱粉膜上製備第一電極層即可。
請參閱圖3及圖4，另一實施方式的片式複合元器件500的結構與片式複合元器件100大致相同，其不同在於：第二電極層513為十字形，第二電極層513的四個自由端分別延伸至第一介質層511的第二表面5112的四條邊形成四個引出邊。
進一步的，在圖示的實施方式中，片式複合元器件500的第一介質層511及第二介質層514為正方形的片狀，第一介質層511的第一表面及第二表面5112均為正方形。需要說明的是，在其他的實施方式中，第一介質層511及第二介質層514不限於為正方形的片狀，還可以為長方形的片狀，或根據需要設計為梯形或多邊形等其他幾何形狀的片狀。
在圖示的實施方式中，第一電極層512為十字形，且第一電極層512在第二電極層513的正投影與第二電極層513完全重合。
在圖示的實施方式中，第二表面5112的四個角未被第二電極層513完全覆蓋，形成四個空白區域以增加第一介質層511與第二介質層514之間的結合力。優選的，空白區域的長度為0毫米～0.5毫米，寬度為0毫米～0.5毫米。
在圖示的實施方式中，第三電極層515在第二電極層513上的正投影完全落入第二電極層513內，如此則第三電極層515和第二電極層513的正對面積不易發生偏差。進一步優選的，第三電極層515在第二介質層514遠離第一介質層511的一側表面（或第二電極層513）的正投影為矩形，且該矩形的四條邊與第二介質層514遠離第一介質層511的一側表面的四條邊的間隙為0.2毫米～0.5毫米。進一步的，第三電極層515在第二介質層514遠離第一介質層511的一側表面的正投影為正方形。
在圖示的實施方式中，陶瓷體510的長度及寬度比陶瓷體510的厚度大0.2毫米以上。
上述片式複合元器件500的第二電極層513為十字形，第二電極層513的四個自由端分別延伸至第一介質層511的第二表面5112的四條邊形成四個引出邊，從而將電阻550附著在陶瓷體510的任意一個側面都可以。
榮譽表彰
2020年7月14日，《片式複合元器件及其製備方法》獲得第二十一屆中國專利獎優秀獎。
