《熔體法晶體生長邊界層結構以及晶體生長微觀機理研究》是依託中國科學院合肥物質科學研究院，由殷紹唐擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：熔體法晶體生長邊界層結構以及晶體生長微觀機理研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：殷紹唐
- 依託單位：中國科學院合肥物質科學研究院
- 批准號：50472104
- 申請代碼：E0201
- 負責人職稱：研究員
- 研究期限：2005-01-01 至 2007-12-31
- 支持經費：30（萬元）
項目摘要
套用先進的雷射共焦顯微高溫拉曼光譜儀和有自主專利權的微型熔體晶體生長裝置，對多種氧化物晶體和非氧化物晶體熔體生長的固/液邊界層進行雷射顯微拉曼光譜的實時觀測，並和邊界層兩側的晶體和熔體進行雷射顯微拉曼光譜進行比較分析，繼續進行由我們開創的晶體熔體生長邊界層結構的研究。通過解析拉曼光譜的譜峰頻移、峰強和半高寬的變化，研究晶體熔體法生長時生長基元在邊界層的形成、發展和這些生長基元的微結構，並找出這些微結構的變化規律，以及它們與熔體相和晶體相的關係。為探索晶體熔體法生長的微觀機制，指導人工晶體生長實踐，促進晶體生長理論研究的發展提供科學依據。
