一金屬矽化物層、一第一型導電層於金屬矽化物層上、一反熔絲層於該第一型導電層上、以及一第二型導電層於該反熔絲層上。由於其比現有技術減少一多晶矽層，故其多晶矽和矽化物層的總體阻質較低，可增加反熔絲型存儲器組件的驅動電流。
基本介紹
- 中文名：熔絲組件
- 概述：包括：一金屬矽化物層
- 簡介：其特徵在於，包括
- 製造：熔絲組件的結構與製造方法，
概述,簡介,製造,
概述
包括：
簡介
其特徵在於，包括： 一金屬矽化物層； 一第一型導電層於該金屬矽化物層上； 一反熔絲層於該第一型導電層上；以及 一第二型導電層於該反熔絲層上。
製造
熔絲組件的結構與製造方法，包括下列步驟：首先，提供一基板並形成一金屬層於該基板上。其後，形成一矽層於該金屬層上並使該金屬層與部分該矽層反應以形成一金屬矽化物層且未被反應的矽層做為第一型導電層。接下來，形成一反熔絲層於該第一型導電層上。圖形化該第一型導電層、金屬矽化物層、反熔絲層以形成字元線並形成一第二型導電層於該反熔絲層上，最後圖形化該第二型導電層以形成位線。本發明可以減少多晶矽的沉積步驟，以簡化形成金屬矽化物的製程，縮減製程時間，減低製造成本及減少傳導層的總體阻質。
包括下列步驟：提供一基板；形成一黏合層於該基板上；形成一金屬層於該黏合層上；形成一矽層於該金屬層上；使該金屬層及部分該黏合層與部分該矽層反應以形成一金屬矽化物層且未被反應的矽層做為第一型導電層；形成一反熔絲層於該第一型導電層上；圖形化該第一型導電層、金屬矽化物層、反熔絲層以形成字元線；形成一第二型導電層於該反熔絲層上；以及圖形化該第二型導電層以形成位線。
