《準一維稀磁氧化物納米結構的製備及其物理性能的研究》是依託北京科技大學，由常永勤擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：準一維稀磁氧化物納米結構的製備及其物理性能的研究
- 依託單位：北京科技大學
- 項目負責人：常永勤
- 項目類別：青年科學基金項目
- 負責人職稱：教授
- 批准號：50502005
- 申請代碼：E0207
- 研究期限：2006-01-01 至 2008-12-31
- 支持經費：24（萬元）
項目摘要
稀磁半導體是研究自旋電子學的理想體系，它具有磁性材料和半導體的綜合特性，可廣泛套用於未來的自旋電子學器件。本課題擬採用氣相沉積方法在準一維寬禁帶氧化物半導體中實現磁性元素的原位摻雜（形成稀磁氧化物半導體納米結構），並實現納米結構中摻雜濃度的可控生長。通過對材料的磁學性質和輸運性能的分析，研究摻雜納米結構中鐵磁性的形成機制。在此基礎上最佳化實驗方案，獲得居里溫度高於室溫的鐵磁性半導體材料。此外，還將研究磁性元素摻雜後對氧化物半導體發光性能的影響。準一維稀磁氧化物納米結構的成功製備及其物理特性的深入研究將不僅豐富低維稀磁半導體的理論內容，也為未來自旋電子學器件和磁光器件的設計開拓了新的思路，因而具有重要的研究價值和深遠的套用前景。
