準一維半納米結構的摻雜效應研究

《準一維半納米結構的摻雜效應研究》是依託北京大學，由俞大鵬擔任負責人的面上項目。

基本介紹

• 中文名：準一維半納米結構的摻雜效應研究
• 項目負責人：俞大鵬
• 項目類別：面上項目
• 依託單位：北京大學
• 批准號：50472024
• 申請代碼：E0207
• 負責人職稱：教授
• 研究期限：2005-01-01 至 2007-12-31
• 支持經費：28（萬元）

項目摘要

本項目擬開展半導體納米線材料的摻雜效應及相關研究。主要研究內容涉及到利用磁性（如Mn、Co、Fe）/非磁性元素（如N、B、P等）原位摻雜製備出各種半導體納米線材料（例如ZnO、GaN、AlN、Ga2O3）材料；分析摻雜的最佳條件、機理，尤其是可控制摻雜的各種工藝條件；研究由於摻雜引起的材料的發光特性的變化；研究摻雜前後單根納米線的電子輸運特性；研究由於磁性因素摻雜引起的納米線材料的磁學性能的變化，