《混合信號模數轉換CMOS積體電路設計》是2015年12月1日出版的圖書,作者是李曉潮、邢建力、林海軍。
基本介紹
- 書名:混合信號模數轉換CMOS積體電路設計
- 作者:李曉潮、邢建力、林海軍
- ISBN:9787302386261
- 定價:39元
- 出版社:清華大學出版社
- 出版時間:2015年12月1日
內容簡介,目錄信息,
內容簡介
本書以混合信號ADC CMOS晶片設計為主線,由概論、模數轉換器算法和實現架構、帶隙參考電壓源、偏置電路和鏡像電流源、運算跨導放大器、比較器電路、放大器失調和斬波技術、採樣和MDAC電路、CMOS工藝技術與版圖設計共9章組成,具有以下特點: 基礎知識和理論圍繞ADC設計展開,更系統全面; 電路結構和設計圍繞ADC設計的要求展開,詳細解釋ADC設計參數之間的關係,並給出了嚴謹的理論推導。本書可作為高等學校電子信息專業和積體電路專業“高級模擬電路設計”課程的教材,也可以供從事數模轉換、模擬積體電路設計工作的工程技術人員參考。
目錄信息
第1章概論
1.1ADC設計概述
1.2積體電路設計工具
1.3ADC積體電路設計流程
1.4關於本書
參考文獻
第2章模數轉換器算法和實現架構
2.1ADC算法
2.2ADC的實現架構
2.2.1品質指標
2.2.2SigmaDelta架構
2.2.3逐次逼近架構
2.2.4流水線架構
2.3主要性能指標
2.3.1解析度
2.3.2DNL/INL非線性
2.3.3偏移誤差與增益誤差
2.3.4信噪比
2.3.5SINAD/THD/SFDR諧波失真
2.3.6ENOB有效位數
2.4速度、精度和功耗
2.5本章小結
參考文獻
第3章帶隙參考電壓源
3.1負溫度係數的電壓基準
3.2正溫度係數的電壓基準
3.3帶隙基準和帶隙電壓
3.4帶隙電壓的溫度係數
3.5帶隙電壓電路
3.5.1工藝參數的提取
3.5.2失調電壓的影響
3.5.3自動調零放大器原理
3.6本章小結
習題
參考文獻
第4章偏置電路和鏡像電流源
4.1偏置的基本概念
4.1.1特性曲線和工作區域
4.1.2和偏置相關的參數
4.1.3電路實現
4.2鏡像電流源
4.2.1鏡像電流源
4.2.2級聯鏡像電流源
4.2.3寬擺幅級聯鏡像電流源
4.2.4Sooch級聯鏡像電流源
4.2.5低壓偏置電路設計
4.2.6串聯MOS管
4.3抗電源電壓干擾
4.3.1電源敏感度和抑制比
4.3.2Widlar電流源
4.3.3自偏置電路
4.4放大器偏置電路設計
4.5本章小結
參考文獻
第5章運算跨導放大器
5.1放大器架構
5.1.1差分運算放大器
5.1.2共源共柵級聯放大器
5.1.3摺疊共源共柵級聯放大器
5.2共模反饋電路
5.2.1共模反饋原理
5.2.2開關電容CMFB電路
5.2.3電路設計與實現
5.3放大器的頻率回響
5.3.1復頻率域電路分析
5.3.2主極點和單位增益頻寬
5.3.3放大器反饋電路
5.3.4單級放大器
5.3.5共源共柵放大器
5.4增益加強型共源共柵放大器
5.4.1小信號模型分析
5.4.2零極點分析
5.4.3建立時間分析
5.5放大器設計及最佳化
5.5.1設計指標
5.5.2整體結構
5.5.3參數最佳化
5.5.4電路設計和仿真
5.6本章小結
參考文獻
第6章比較器電路
6.1簡介
6.2基本指標
6.3比較器結構
6.3.1連續時間比較電路
6.3.2離散時間比較電路
6.3.3鎖存型比較器
6.3.4斬波逆變型比較器
6.4提高精度的技術
6.4.1輸入失調電壓
6.4.2具體電路失調分析
6.4.3模擬消除技術
6.4.4數字補償技術
6.5比較速度分析
6.6設計實例
6.6.1確立電路結構
6.6.2設計各CMOS管尺寸
6.6.3仿真
6.7本章小結
習題
參考文獻
第7章放大器失調和斬波技術
7.1實際與理想運放的差異
7.2雙極型差分對輸入失調電壓
7.3MOS型差分對輸入失調電壓
7.3.1電阻負載
7.3.2有源負載
7.3.3系統失調電壓
7.4斬波技術和斬波放大器
7.4.1斬波放大器原理
7.4.2殘餘失調電壓
7.4.3MOS開關的非理想效應
7.4.4實例分析
7.5本章小結
參考文獻
第8章採樣和MDAC電路
8.1採樣基本概念
8.2開關電容採樣保持電路
8.2.1翻轉型架構
8.2.2電荷傳輸型架構
8.2.3具體實現電路
8.3主要誤差分析
8.3.1放大器有限增益誤差
8.3.2採樣時間誤差
8.3.3開關電阻非線性
8.3.4電荷注入誤差
8.3.5時鐘饋通效應
8.3.6熱噪聲
8.4MDAC電路
8.4.1實現電路
8.4.2數字誤差校正
8.4.31.5位MDAC電路
8.5本章小結
參考文獻
第9章CMOS工藝技術與版圖設計
9.1主要工藝流程
9.2積體電路版圖
9.3無源器件
9.3.1N+、P+、N阱電阻
9.3.2多晶矽電阻
9.3.3電阻的性能比較
9.3.4電容
9.4閂鎖效應及版圖布局
9.5ESD保護及版圖布局
9.6本章小結
參考文獻