液相沉積從屬於半導體生長工藝的液相外延技術。
基本介紹
- 中文名：液相沉積
- 外文名：Liquid-Phase Deposition
- 縮寫：(LPD)
- 屬於：半導體生長工藝的液相外延技術
利用LDP工藝生長SiO2是新近發展起來的技術。溶液採用過飽和的氟矽酸溶液，利用其和水的如下反應：
H2SiF6 + H2O → SiO2 + 6 HF
根據如上反應，當H2SiF6的濃度、H2O的含量增加或是HF的濃度降低時，便發生 SiO2的沉積。
已有採用向溶液中添加H3BO3、Al或水的方式來加快SiO2的沉積。
沉積的速率在0.001~0.007 nm/s，這取決於溶液的組成。其速率遠小於熱氧化的生長速率（（100））面，1000 ℃ 時大約 0.1 nm/s。
當前，已可以採用LPD沉積的金屬的氧化物有：Ti、Sn、Zr、V、Cd、Zn、Ni、Fe、Al等。
和其他氧化物工藝相比，LPD有自己的優勢：低溫，廉價，基底的多樣性等；熱氧化生成的氧化膜的綜合質量較好，但較高的氧化溫度導致的熱應力也會造成缺陷態的存在；電化學沉積過程中電流通路的存在導致膜的緻密性差，疏鬆等。
