液封直拉法(liquid encapsulation Czochralski method)是1993年公布的電子學名詞。
基本介紹
- 中文名:液封直拉法
- 外文名:liquid encapsulation Czochralski method
- 所屬學科:電子學
- 公布時間:1993年
液封直拉法(liquid encapsulation Czochralski method)是1993年公布的電子學名詞。
液封直拉法(liquid encapsulation Czochralski method)是1993年公布的電子學名詞。公布時間1993年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處《電子學名詞》第一版。1...
液封覆蓋直拉法 液封覆蓋直拉法是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 熔體表面有一層覆蓋劑,晶體是從被覆蓋劑包裹的熔體中拉制出來。主要用於製備具有揮發性組分的化合物半導體單晶的方法。出處 《材料科學技術名詞》。
高壓液封直拉法(high pressure liquid encapsulation pulling method) 即在高壓下的液體復蓋直拉法。用這種方法原位合成直拉生長不摻雜半絕緣砷化鎵單晶,具有高純、高電子遷移率和熱隱定性好的優良性能。簡介 由於Ⅲ一V族化合物...
高壓晶體爐 TDR-GY系列液封直拉法高壓晶體爐 《高壓晶體爐 TDR-GY系列液封直拉法高壓晶體爐》是2007年8月28日發布的一項行業標準。備案信息 備案號:21734-2007
重點是液封直拉法(即液封喬赫拉斯基法,簡稱LEC法),但水平舟生長法(即水平布里其曼法)因制出的單晶質量和均勻性較好,仍然受到一定的重視。液封直拉法的一個新發展是在高壓單晶爐內用熱解氮化硼(PBN)坩堝和乾燥的氧化硼液封劑直接...
在坩堝熔體表面加入液體覆蓋劑稱液封直拉法,用此法拉制砷化鎵、磷化鎵、磷化銦等分解壓較大的單晶。懸浮區熔法的熔體不與容器接觸,用此法生長高純矽單晶。水平區熔法用以生產鍺單晶。水平定向結晶法主要用於製備砷化鎵單晶,而垂直定向...
通常採用水平布里奇曼法(HB)、液封直拉法(LEC)、高壓液封直拉法(HPLEC)、垂直梯度凝固法(VGF)製備化合物半導體單晶,用液相處延(LPE)、氣相處延(VPE)、分子束外延(MBE)、金屬有機物化學氣相沉積法(MOCVD)等製備它們的薄膜和超薄層...
液封直拉法生產的砷化鎵單晶主要用於製造高速積體電路和大功率微波器件。國瑞公司現正在加緊進行直拉法產業化前的各項準備。4英寸的產品可望近期拉製成功,6英寸直拉單晶也將在不久的將來被攻破。“十一五”期間,除水平單晶產量繼續擴大外...
11.2.2液封直拉法製備GaAs單晶210 11.3GaAs薄膜單晶材料211 11.3.1液相外延製備GaAs薄膜單晶211 11.3.2金屬-有機化學氣相沉積外延製備GaAs薄膜單晶212 11.3.3Si、Ge襯底上外延製備GaAs薄膜材料215 11.4GaAs晶體中的雜質216 11.4...
III-V族半導體化合物製備方法有以下幾種:液封直拉法(LEC)、高壓液封直拉法(HPLEC),水平區熔法(HB)和垂直梯度凝固法(VGF)等。薄膜製備方法有液相外延(LPE),氣相外延(VPE),分子束外延(MBE),化學束外延(LBE)和金屬有機化合物...
20世紀60年代初的水平布里奇曼(Bridgman)方法(HB)和液封直拉法(LEC),以及後來發展起來的垂直梯度凝固法(VGF)和氣相外延(CVD)生長技術的發展,促進了化合物半導體材料在微波和光電領域的套用。隨著信息載體從電子向光電子和光子...
為了適應單片集成光路發展的需要,發展了許多技術,如在半絕緣襯底製造方面的液封直拉法(LEC方法),超薄外延層製備方面的分子束外延(MBE)、金屬有機化合物汽相沉積(MO-CVD),以及微細加工方面的離子注入、電子束曝光等技術。光學邏輯...
形成並掌握了具有自主智慧財產權的晶體生長設備製造技術,並且根據多年來形成的企業標準起草兩部機械工業行業標準:單晶爐TDR系列直拉法單晶爐(JB/T10439-2004)和高壓晶體爐TDR系列液封直拉法晶體爐(JB/T10789-2007),兩部均列入國家...
3.4 區熔法生長單晶 3.5 GaAs單晶體的液封直拉法生長技術 3.6 布氏法生長GaAs 3.7 晶片成形 3.8 晶片的測試分析技術 參考文獻 第4章 半導體製備用材料及化學品 4.1 概述 4.2 清洗技術用高純度化學品 4.3 光刻技術用材料...
直徑為2—3in的N型和P型GaAs和InP單晶材料主要用於光電器件的襯底,常用水平布里奇曼(HB)或高壓液封直拉法(LEC)製備,其摻雜濃度、均勻性和晶體完整性(除InP單晶位錯密度需進一步降低外)可基本滿足傳統光電子和微電子器件的需求。...
晶體生長的方法很多,常用的有橫拉法、直拉法、懸浮區熔法,還有基座法、氣相單晶生長、枝蔓蹼狀晶體生長和磁阻尼法。對於化合物,另外還有液封直拉法、高壓液封直拉法、磁拉法、布里茲曼法和合成溶質擴散法等。外延生長也是一種重要的...
垂直布里其曼法(VB法)垂直布里其曼法(VB法、坩堝下降法)可以說是一種生長GaAs 單晶的新方法,它綜合水平布氏法和液封直拉法的優點,可直接生長出完整性好的圓形GaAs單晶;以及還有垂直梯度凝固法(VGF法)。此外通過計算機建立模型...