| 中文名稱 | 液封覆蓋直拉法 |
| 英文名稱 | liquid encapsulated Czochralski method |
| 定 義 | 熔體表面有一層覆蓋劑，晶體是從被覆蓋劑包裹的熔體中拉制出來。主要用於製備具有揮發性組分的化合物半導體單晶的方法。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），半導體材料製備（三級學科） |
| 中文名稱 | 液封覆蓋直拉法 |
| 英文名稱 | liquid encapsulated Czochralski method |
| 定 義 | 熔體表面有一層覆蓋劑，晶體是從被覆蓋劑包裹的熔體中拉制出來。主要用於製備具有揮發性組分的化合物半導體單晶的方法。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），半導體材料製備（三級學科） |
中文名稱 液封覆蓋直拉法 英文名稱 liquid encapsulated Czochralski method 定義 熔體表面有一層覆蓋劑,晶體是從被覆蓋劑包裹的熔體中拉制出來。主要用於製備具有...
高壓液封直拉法(high pressure liquid encapsulation pulling method) 即在高壓下的液體復蓋直拉法。用這種方法原位合成直拉生長不摻雜半絕緣砷化鎵單晶,具有高純、...
液封直拉法的一個新發展是在高壓單晶爐內用熱解氮化硼(PBN)坩堝和乾燥的氧化...液相外延工藝是用 Ga/GaAs熔池覆蓋襯底表面,然後通過降溫以生長外延層,也可採用...
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