《氮化鎵的PAMOCVD生長中的可控活化與活性粒子研究》是依託大連理工大學,由顧彪擔任醒目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：氮化鎵的PAMOCVD生長中的可控活化與活性粒子研究
- 依託單位：大連理工大學
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：顧彪
- 批准號：19575006
- 申請代碼：A2901
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：1996-01-01 至 1998-12-31
- 支持經費：9（萬元）
項目摘要
為解決高溫（1000℃）獲得活性氮與立方GaN在高溫下會轉化為六方GaN且造成氮空位多的矛盾，我們提出了採用RCR電漿可控活化的方法求提供活化氮；為解決在單晶膜外延生長中引入電漿通常會造成晶面離子損傷的困難，我們選取用了自己研製的腔耦合型磁多級ECR電漿源，它能產生高能（5-20cv）電子成分多而離子能量低的電漿。在完成電漿特性與活化作用的測量分析，測出活化氮與微波功率、工作氣壓的定標關係以及氫電漿的清洗與催化作用等大量實驗研究的基礎上，我們在國內首次用ECR-電漿輔助MOCVD方法在低溫氣壓條件下在GaAs襯底上異質外延出了立方GaN單晶膜，其品質達到了同期國際先進水平，因而被列入了國家863計畫及211工程重點建設學科。
