《氮化鎵基半導體原位納米橫向生長動力學研究》是依託廈門大學，由方誌來擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：氮化鎵基半導體原位納米橫向生長動力學研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：方誌來
- 依託單位：廈門大學
- 批准號：60876008
- 申請代碼：F0401
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2009-01-01 至 2011-12-31
- 支持經費：32（萬元）
項目摘要
採用金屬有機物化學氣相沉積法在藍寶石襯底上原位製備具有一定空間分布和化學組分比的富矽氮化矽納米圖形掩膜，然後納米橫向外延生長高質量氮化鎵基半導體材料，以克服傳統橫向生長工藝複雜、時間長和昂貴等缺點及缺乏廉價氮化鎵自支撐襯底的問題。結合材料生長和表征以及動力學蒙特卡羅模擬和勢能表面計算，重點解決該納米橫向外延體系生長初期的成核機理、成核位置與晶相控制、成島與粗化機制、島形貌演變和島間合併動力學、擴散和晶面生長速率各向異性及表面活性劑在納米橫向生長中的作用等關鍵物理問題。控制初始成核、成島及納米橫向外延過程，建立基於MOCVD的氮化鎵基半導體原位納米橫向外延的最佳化工藝，並分析氮化鎵外延層的位錯、應力、發光和晶體質量。這些研究不僅將部分解決氮化鎵基半導體原位納米橫向生長動力學及其相關物理問題，也將加深對薄膜外延的基本物理問題的理解，還將積極促進高質量、低價氮化鎵基材料製備和光電產業化發展。
