氮化鎵基共振腔發光管研究

氮化鎵基共振腔發光管研究

《氮化鎵基共振腔發光管研究》是依託廈門大學,由張江勇擔任項目負責人的面上項目。

基本介紹

  • 中文名:氮化鎵基共振腔發光管研究
  • 項目類別:面上項目
  • 項目負責人:張江勇
  • 依託單位:廈門大學
項目摘要,結題摘要,

項目摘要

GaN基共振腔發光管(RCLED)是一種將有源區置於光學諧振腔中的新型LED,具備線寬窄、方向性好、穩定性高等許多優勢,有良好的套用前景。然而,由於結構複雜,其研製難度極大,並且還面臨散熱差、光損耗大及模式匹配困難問題。針對這些問題,本項目將圍繞GaN基RCLED的設計、製備和理論研究開展工作。利用理論模擬手段對器件的熱傳輸機理和光損耗機制進行深入分析。利用漸變腔長結構和微區發光測試技術,對器件模式匹配理論進行系統研究。在此基礎上,確定器件性能受限的主要因素。利用獨特的二次轉移基底技術,研製出新型的正裝薄膜結構器件。通過並對器件的反射鏡、有源區以及側向光限制層等結構參數的最佳化,解決器件散熱、光損耗及模式匹配問題,獲得具有窄線寬、高功率、小發散角、波長穩定的高性能GaN基RCLED器件。本項目的研究對於豐富氮化物光電子器件種類,拓展其套用領域具有重要意義。

結題摘要

本項目圍繞GaN基共振腔發光管(RCLED)的設計、製備、測試及理論研究開展工作。取得了以下研究成果:1.設計了適合於GaN材料的RCLED器件結構,完善了器件製作工藝流程。金屬反射鏡-介質膜分布布拉格反射鏡(DBR)共振腔結構,避免了氮化物DBR生長的難點;垂直電極構型改善了器件的散熱特性;與垂直結構LED兼容的器件工藝,保證了器件製作順利進行,也為將來產業化套用提供了便利。2.分析了器件的熱擴散機理,利用垂直結構構型解決了藍寶石襯底散熱瓶頸,改善了器件散熱問題;模擬了諧振腔反射特性、諧振模式分布,建立了模式匹配理論模型;研究了諧振腔結構及腔面光損耗對器件縱模分布、光譜寬度及發射強度的影響規律,闡明了器件發光的調控機理。3.提出了法布里-珀羅濾波器結構介質膜DBR作為頂部反射鏡的諧振腔結構,解決了長光學腔導致的多縱模發射問題,研製出了窄線寬、單縱模、波長穩定的GaN基RCLED器件。4.實現了GaN基RCLED縱模分布、光譜寬度及發射強度的調控。諧振腔長決定著縱模位置及間距,反射鏡反射率影響光譜寬度及發射強度,帶有濾波結構的頂部反射鏡可改變縱模數量。

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