| 中文名稱 | 氫化物氣相外延 |
| 英文名稱 | hydride vapor phase epitaxy，HVPE |
| 定 義 | 在外延生長所需的化學組分中，至少採用一種氫化物的氣相外延。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），半導體材料製備（三級學科） |
| 中文名稱 | 氫化物氣相外延 |
| 英文名稱 | hydride vapor phase epitaxy，HVPE |
| 定 義 | 在外延生長所需的化學組分中，至少採用一種氫化物的氣相外延。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），半導體材料製備（三級學科） |
中文名稱 氫化物氣相外延 英文名稱 hydride vapor phase epitaxy,HVPE 定義 在外延生長所需的化學組分中,至少採用一種氫化物的氣相外延。 套用學科 材料科學技術(...
研究氮化鎵襯底以及同質外延技術為主,提高LED照明的亮度、功率,以實現高亮度大功率LED照明。項目將基於氮化鎵GaN的HVPE(氫化物氣相外延)和MOCVD(金屬有機化學氣相沉積...
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HVPE是Hydride Vapor Phase Epitaxy的縮寫,翻譯成中文為“氫化物氣相外延”。...... HVPE是Hydride Vapor Phase Epitaxy的縮寫,翻譯成中文為“氫化物氣相外延”。...
2004-05年在加大聖巴巴拉分校期間,加入中村修二工作組,參與設計氮化鋁單晶/合金的氫化物氣相外延生長 (HVPE)反應裝置,並成功生長出最早的高質量氮化鋁晶體。2006年...
【8】河北省自然科學基金(E2009000124)《氫化物氣相外延製備氮化鎵應力消除的研究》2009-2011第一主研【9】國家自然科學基金(50373032)《模板印跡法細胞載體微球》2004...
對C摻雜氫化物氣相外延生長的GaN的光致發光測量確定C雜質是黃光發 樣品退火後與退火前黃光發射強度比隨注入劑量的關係圖 射帶存在的一個重要原因。對於Si摻雜或...
常見的半導體材料製備手段,如分子束外延(MBE),金屬有機化學氣相澱積(MOCVD),離子注入,氨熱法,脈衝雷射濺射(PLD),磁控濺射,溶膠-凝膠法,氫化物氣相外延(HVPE)等被...
第7章半導體發光材料外延生長7 1半導體發光材料外延生長方法[1] 7 2磷砷化鎵氫化物氣相外延生長(HVPE)7 3磷化鎵的液相外延7 4鎵鋁砷的液相外延...