廣東省氮化物半導體企業重點實驗室

廣東省氮化物半導體企業重點實驗室培育基地依託東莞市中鎵半導體科技有限公司建設，2010年獲批立項。

基本介紹

• 公司名稱：廣東省氮化物半導體企業重點實驗室
• 公司性質：科研
• 依託：東莞市中鎵半導體科技有限公司
• 主任：張國義

研究方向

本重點實驗室的研究方向將主要集中於GaN襯底以及同質外延技術、高功率垂直結構LED器件技術以及GaN基藍光雷射器等目前對產業發展有重大貢獻的研究領域。

研究內容

研究氮化鎵襯底以及同質外延技術為主，提高LED照明的亮度、功率，以實現高亮度大功率LED照明。項目將基於氮化鎵GaN的HVPE（氫化物氣相外延）和MOCVD（金屬有機化學氣相沉積）生長技術，結合微區雷射剝離技術，在第三代半導體襯底材料的生長、製備方面，研究提出切實可行並具有自主智慧財產權的技術途徑，研製氮化鎵（GaN）、氮化鎵藍寶石（GaN/Al2O3）複合襯底等同質外延襯底。開展高亮度大功率垂直結構LED晶片研究，主要研究是對於研究和製備無損雷射剝離、高功率、大注入、低droop的新型厚膜垂直結構LED器件（具有自主智慧財產權的新型器件）。以及高功率大注入垂直結構器件的關鍵問題的物理機制的研究。

建設目標

以氮化鎵襯底材料為基礎，本試驗室擬全面進入高段半導體技術的領域研究，致力於提高廣東省半導體技術水平，推動產業發展，提升國際競爭力。

主任簡介

張國義教授，北京大學博士後導師，北京大學寬禁帶半導體研發中心主任，任多個國家級科研單位理事及委員，曾支持多個國際性科研產業論壇，先後在美國堪薩斯州立大學、日本千葉大學、澳大利亞新南威爾斯大學、比利時魯汶大學開展合作研究。