《氧化鋅基寬禁帶光電功能薄膜材料》是依託中國科學技術大學，由傅竹西擔任項目負責人的專項基金項目。
《氧化鋅基寬禁帶光電功能薄膜材料》是依託中國科學技術大學，由傅竹西擔任項目負責人的專項基金項目。中文摘要本課題以ZnO為基材料，研究其混晶薄膜、異質結和同質p-n結以及人工微結構材料的製備和光電特性；同時，構想利用ZnO...
氧化鋅是一種新型的Ⅱ－Ⅵ族直接帶隙寬禁帶化合物半導體材料，具有優異的光學和電學特性，具備了發射藍光或近紫外光的優越條件，有望開發出紫外、綠光、藍光等多種發光器件。實現氧化鋅基光電器件的關鍵技術是製備出優質的p型氧化鋅薄膜。本徵氧化鋅是一種n型半導體，必須通過受主摻雜才能實現p型轉變。但是由於氧化鋅...
《原子層尺度可控的InGaZnO薄膜和異質結構製備及其套用研究》是依託復旦大學，由盧紅亮擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 銦鎵鋅氧 (IGZO)薄膜具有可低溫澱積、透明性好、導電率高及均勻度佳等特點，是透明電子學領域新興的寬禁帶半導體材料。但多元IGZO薄膜在組分精確控制及電晶體(TFT)套用等方面，仍存在諸...
其他Ⅲ-V族化合物，如磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）、銻化鎵（GaSb）及相關的固溶體化合物半導體材料，在60年代陸續研製成功並投入器件套用。80年代，隨著軍用微波大功率器件、高溫半導體器件發展的需要，寬禁帶半導體碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料被人們重視，發展迅速。1960年世界上第一台紅寶石（Cr3+:Al2O3...
開展固體發光材料的研製及套用，包括：白光LED 材料製備及套用、新型X 射線發光材料製備及醫療套用、寬禁帶氧化物半導體材料製備及性能。新型光電功能材料 開展光電、熱電和鐵電功能材料的製備及套用，包括：矽基納米結構薄膜太陽能電池材料功能及技術、矽基鐵電器件設計及特性、 氧化物材料及熱電轉化機制。主要成果 “ ...
ZnO是近年來發展起來的新型寬禁帶半導體光電功能材料，在藍紫光發光器件、表面聲波器件、壓電器件等方面具有很大的套用潛力。未摻雜的ZnO呈n型，具有強烈的自補償效應。這為它的有效p型摻雜造成了很大的困難。目前，該類研究已經取得了一定的進展，但是如何有效減弱其自補償效應、尋找到合適的受主摻雜源的問題並沒有...
揭示強磁場下寬禁帶薄膜生長的機理，為低溫下製備出高質量、高表面光潔度的寬禁帶半導體薄膜開闢一條嶄新的途徑。結題摘要 金剛石具有優異的力學、熱學、光學和電學等性質，是目前國內外材料科學研究的熱點之一。本項目將熱絲輔助化學氣相沉積（HFCVD）金剛石等寬禁帶半導體薄膜材料的過程置於強磁場中進行，通過研究強磁場...
5.GaAs和InP的套用6.其他常見化合物半導體材料 第6篇寬頻隙半導體及其套用(主編：鄭有炓)1.導論2.Ⅲ族氮化物半導體材料3.Ⅲ族氮化物半導體基本物理性質4.Ⅲ族氮化物半導體器件套用5.氧化鋅（ZnO）半導體6.碳化矽半導體7.金剛石半導體8.Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體9.寬禁帶稀釋磁性半導體材料 第7篇半導體低維結構和量子器件...
有機染料分子通過吸附功能基團與寬禁帶TiO₂半導體相互作用,使染料分子與TiO₂表面之間建立電性偶合,有效地促進了電荷轉移,形成有機染料和納米TiO₂複合光電功能材料。染料敏化納米TiO2 薄膜複合電極在染料敏化太陽電池中,採用溶膠-凝膠法製備納米膠體TiO₂,以鈦酸四異丙酯為原料進行水解製備納米膠體TiO₂。鈦醇...
在寬禁帶GaN、ZnO單晶薄膜異質結構生長、ZnO的P型摻雜關鍵技術解決及ZnO紫外探測器的製備等方面已取得了突破性進展，獲得國家自然科學二等獎1項（2007年）、浙江省科技進步獎2項（2006年，2007年），為研發新一代半導體材料作出了重要的基礎研究工作。在90年代末，重點實驗室開拓了複合半導體光功能材料、納米材料、...
第四節寬禁帶半導體材料49 一、碳化矽(SiC)49 二、氮化鎵(GaN)54 三、氧化鋅(ZnO)57 四、硫系非晶體態半導體材料61 第五節陶瓷半導體材料68 一、簡介68 二、熱敏陶瓷71 三、壓敏陶瓷77 四、氣敏陶瓷84 五、濕敏陶瓷94 六、多功能敏感陶瓷99 第二章導電與磁性材料104 第一節結構型導電高分子材料104 一、...
[18]國家自然科學基金面上項目，ZnO薄膜的發光中心及其激發機理研究，2005-2007。[19]國家自然科學基金重大研究計畫重點課題，能帶可調的氧化鋅基異質結構生長及光電器件套用研究，2003-2005。[20]國家自然科學基金主任基金，氧化鋅基寬禁帶光電功能薄膜材料，2002-2002。[21]國家自然科學基金主任基金，氧化鋅薄膜p-n結...
葉志鎮主要從事寬禁帶半導體氧化鋅等無機光電薄膜材料及關鍵技術研究。人物經歷 1955年4月7日，葉志鎮出生於浙江溫州蒼南。1977年，作為恢復高考後的第一批大學生，考入浙江大學電機系。1982年1月，從浙江大學電機系畢業，獲得學士學位。1984年4月，加入中國共產黨；10月，從浙江大學光儀系光電技術專業畢業，獲得碩士...
杜小龍，男，中國科學院物理研究所碩士生導師，1966年10月生，主要研究課題為寬禁帶半導體ZnO基、GaN基單晶薄膜的製備及其光電子器件的研製等。人物經歷 杜小龍，現為中國科學院物理所研究員、博士生導師，清潔能源中心副主任；畢業於天津工業大學，1992年7月北京師範大學物理系畢業，獲碩士學位；1999年2月北京理工大學...
1． 寬禁帶半導體材料和器件的外延生長及器件加工。2． 納米材料和器件研製及其套用研究。3． 離子束材料改性。4． 離子注入與離子束分析。5． 離子束輔助沉積製備功能薄膜材料。主要貢獻 在研項目 主持科研項目：1. 國家自然科學基金委國際會議資助項目：第二屆中韓低維電子和光子材料與器件，2013；2. 國家自然...
該裝備對於大規模製備LED 套用的ZnO 透明導電薄膜以及研究ZnO 寬禁帶半導體材料的物理特性、新功能、新套用、解決p 型摻雜等重大科學問題提供了強有力的支撐。☆ 利用特殊晶片補償低顯色性白光所缺乏的光譜的原理，在不降低光源效率和壽命的前提下，發明了提高白光光源顯色指數Ra＞90同時光效＞90Lm/W 的獨創性技術...
主要從事ZnO、BN等寬禁帶半導體光電薄膜材料與器件以及電阻式隨機存儲器(RRAM)材料與器件的研究。研究方向 半導體光電薄膜材料與器件、憶阻器材料與器件、神經突觸仿生器件、碳基納米材料；論文 1. S.S. Peng, F. Zhuge*, X.X. Chen, X.J. Zhu, B.L. Hu, L. Pan, B. Chen, and R.W. Li*, ...
寬禁帶、超寬禁帶化合物半導體材料、晶片與套用 光電功能材料與套用 金屬有機化學氣相沉積技術 科研項目 國家自然科學基金青年基金，《高質量ε相氧化鎵單晶薄膜的金屬有機化學氣相異質外延 》，主持。 國家科技創新特區項目，《MOCVD可控制備》，主持。 重點實驗室基金，《基於缺陷調控的氧化鎵大功率電子器件退化機理研究...
2．氧化鋅(ZnO)基場致電子發射發光顯示、紫外探測及電致紫外發光器件；3．寬禁帶半導體光電薄膜與場效應電晶體（MOSFET、TFT）。主講課程 承擔本科生課程：半導體器件物理(I); 微電子工藝原理與實踐；矽平面工藝與光電薄膜綜合實驗（異質結器件製備與表征）.研究生課程：半導體器件物理(II); 納米光電子材料與器件。...
1.首次在柔性襯底上製備出AZO透明導電薄膜，單篇文章已被引用191次；2.製備了氮化鋅薄膜，並對其性能進行測試，結束了關於氮化鋅禁帶類型和寬度的長期爭論；3.製備了ZnO:Y透明導電薄膜，該成果已申請了發明專利；4.製備了多種金屬基複合薄膜和具有不同緩衝層的透明導電薄膜，研究了其結構與光電特性；5.製備了非晶...
2、皖西學院自然科學青年項目（WXZQ0706）：《矽鍺薄膜上的低維量子結構及PL光譜》3、六安市定向委託皖西學院市級研究項目：氧化鋅新型功能半導體材料光、電、磁特性研究（2009LW027）4、省教育廳自然科學基金《糾纏原子與光場相互作用量子特性研究》項目 5、省教育廳《通識教育下《大學物理》課程的教學改革研究與實踐...
光電材料製備、集成與特性研究 （納米線、薄膜和晶體，包括ZnO和Ga2O3等寬禁帶半導體、HgI2和CdTe等輻射探測用半導體、a-Si和IGZO等薄膜材料）科研項目 高性能耐惡劣環境的日盲紫外成像器件研究，國家自然科學基金-面上項目，53萬，2023年1月—2026年12月，主持，在研；氧化鎵薄膜光電導冷陰極平板X射線探測器件及其...
1999年7月於中國科學院半導體研究所參加工作，1999-2005年從事低能離子束外延材料製備技術與大失配異質結構材料柔性襯底研究工作。2006年至今主要從事：（1）ZnO材料的MOCVD生長研究；（2）寬禁帶半導體材料襯底製備技術研究；（3）稀土摻雜寬禁帶半導體材料生長研究。先後負責和參與各類科研項目10餘項，申請國家發明專利20...
劉益春主要從事寬禁帶半導體光電子材料與器件的研究工作。人物經歷 1981年9月—1985年7月，劉益春在東北師範大學物理學院（原物理系）學習，獲理學學士學位。1985年9月—1988年6月，在中國科學院長春光學精密機械與物理研究所（原長春物理所）凝聚態物理專業攻讀碩士學位研究生，獲理學碩士學位。1988年7月起，進入東北...
1. InGaZnO薄膜的低溫生長 2. 氫氣對InGaZnO薄膜電輸運性能影響，InGaZnO:H薄膜電輸運性能表征 3. 基於InGaZnO薄膜電晶體製備與性能表征 方向III: 寬禁帶半導體III-V族半導體薄膜在LED器件中的材料套用與工藝研究 1.垂直結構LED工藝最佳化 2.綠光LED器件材料開發與表征 主講課程 研究生專業課程：《光電半導體材料科學與...
另外，“中心”同時著眼未來，針對於寬禁帶GaN材料“後LED時代”的兩大主要套用方向，在現有寬禁帶GaN材料系外延生長的基礎上，同時深入開展了深紫外探測器和寬禁帶半導體電力電子器件的研究，以期分別解決“日盲型火焰探測”和”高效率能量管理及轉換”的產業化需求問題。主要成果 “中心”自成立以來，與工業界、政府...
（ 1 ） 高性能無源敏感薄膜材料Si基異質異構集成方法及感測器晶片研發, 主持, 國家級, 2017-07--2021-06 （ 2 ） 基於離子束技術的氧化鋅單晶薄膜製備及其阻變特性調控, 主持, 國家級, 2018-01--2020-12 （ 3 ） 寬禁帶半導體氧化鎵單晶製備及器件研究, 主持, 省級, 2018-07--2020-06 （ 4 ） 異質...
《寬禁帶半導體材料與器件工程技術研究中心》，廣東省教育廳-平台建設項目，2009-2011，主持。《新型超高速、低噪音雪崩光電二極體（APD）器件的研究》，國家自然科學基金-面上項目，2007-2009，主持。代表論文 (1) Numerical simulation and study of the metal-organic chemical vapor deposition growth of ZnO film....
1977年，Carlson等研製成功了能量轉換效率達5.5%的非晶矽肖特基勢壘電池；1978年，日本大阪大學研製出非晶矽PIN電池，轉換效率達4.5%；1981年秋，大阪大學又製備出了改進的a-SiC:H/a-Si:H PIN異質結太陽能電池, 其能量轉換效率突破了 8%, 其中, P 型寬禁帶 a-SiC:H 被用來作為電池的視窗材料，1982年，這種...
（b）寬禁帶半導體薄膜敏感結構及器件針對國家重大工程項目、載人航天遇到的超高溫套用環境下的微器件生存的難題，利用GaN、SiC等寬禁帶材料在溫度穩定性方面所具有的傳統半導體材料不可替代的優勢，開展基於寬禁帶納米敏感結構和非接觸無源信號傳輸的高溫壓力感測測試技術，開發實現GaN、SiC等典型寬禁帶半導體的加工方法，為...
