氣相外延法是指一種晶體浮生在另一種晶體上的方法,浮生晶體與襯底晶體間存在著結構相似的晶體學低指數。面晶體是在結構匹配的界面上生長,稱為配向浮生。
基本介紹
- 中文名:氣相外延法
- 外文名:Gas phase epitaxy
- 學科:材料工程
- 領域:工程技術
氣相外延法是指一種晶體浮生在另一種晶體上的方法,浮生晶體與襯底晶體間存在著結構相似的晶體學低指數。面晶體是在結構匹配的界面上生長,稱為配向浮生。
氣相外延法是指一種晶體浮生在另一種晶體上的方法,浮生晶體與襯底晶體間存在著結構相似的晶體學低指數。面晶體是在結構匹配的界面上生長,稱為配向浮生。簡介氣相外延法是指一種晶體浮生在另一種晶體上的方法,浮生晶體與襯底晶體間存在...
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