正常電子隧穿（normal electron tunneling）是2019年發布的物理學名詞。
基本介紹
- 中文名：正常電子隧穿
- 外文名：normal electron tunneling
- 所屬學科：物理學
- 公布時間：2019年
公布時間,出處,
公布時間
2019年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。
出處
《物理學名詞》第三版。
正常電子隧穿
相關詞條
- 正常電子隧穿
正常電子隧穿 正常電子隧穿（normal electron tunneling）是2019年發布的物理學名詞。公布時間 2019年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《物理學名詞》第三版。
- 隧道效應(量子物理現象)
例如，在製造半導體積體電路時，當電路的尺寸接近電子波長時，電子就通過隧道效應而溢出器件，使器件無法正常工作，經典電路的極限尺寸大概在0．25微米。研製的量子共振隧穿電晶體就是利用量子效應製成的新一代器件電子具有粒子性又具有波動...
- 量子隧穿效應
通過電子傳輸，連結嘧啶的共價鍵會被分裂，這樣，嘧啶二聚體得以變回先前的正常單體。在電子傳輸過程中，倚靠長距量子隧穿機制（最長距離約為3納米），電子才可從黃素部分移動至二聚體部分。總結，黃素蛋白光裂合酶之能夠修復被紫外線...
- 介觀系統中電子隧穿特性研究
《介觀系統中電子隧穿特性研究》是依託首都師範大學，由李春雷擔任項目負責人的專項基金項目。項目摘要 介觀系統中電子的隧穿特性,特別是電子的隧穿電流和隧穿時間問題一直是凝聚態物理中的研究熱點之一；由於介觀系統（特別是半導體低維系統...
- 電子隧穿還原對溶液中貴金屬納米材料生長的影響
《電子隧穿還原對溶液中貴金屬納米材料生長的影響》是依託西安交通大學，由尤紅軍擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 本項目擬在貴金屬納米材料的電沉積生長體系中，提出和研究一種新的金屬離子的還原方式，即電子隧穿還原。與傳統...
- 量子點系統中電子隧穿的完全計數統計研究
《量子點系統中電子隧穿的完全計數統計研究》是依託上海交通大學，由董兵擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 介觀小量子系統中電子非平衡隧穿過程可以看作是一種量子統計隨機過程，在一定時間範圍內通過系統的電子數目是一個隨機漲落量，...
- 量子點、單分子在雙隧道結中的電子隧穿特性研究
《量子點、單分子在雙隧道結中的電子隧穿特性研究》是依託中國科學技術大學，由侯建國擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 利用低溫超高真空掃描隧道顯微鏡，研究不同尺度金屬納米顆粒和團簇單分子在雙隧道結中電子隧穿特性；研究分裂電子...
- 強場隧穿電子再碰撞動力學研究
《強場隧穿電子再碰撞動力學研究》是依託北京套用物理與計算數學研究所，由劉傑擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 強雷射與物質相互作用涉及原子的高剝離過程、帶電粒子加速乃至超強場中的真空極化及正負電子對產生，是當今物理學的重要...
- 孤立金納米顆粒單電子隧穿能譜的系統研究
《孤立金納米顆粒單電子隧穿能譜的系統研究》是依託北京理工大學，由鄭寧擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 近年來，作為下一代單電子隧穿型器件的核心部分，具有外包覆膜的貴金屬納米顆粒在國內外科學界及產業界引起了廣泛關注...
- 單電子多勢壘隧穿結構器件的製備與研究
《單電子多勢壘隧穿結構器件的製備與研究》是依託蘭州大學，由力虎林擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 研究採用電沉積與SPM和自組裝相結合的加工製備技術,製備納米尺寸(單個納米粒子小於20nm)的單電子隧傳結構.改變納米量子電尺寸,材料...
- 橫向隧穿電子激發局域表面等離激元發光行為研究
隧穿電子誘導等離激元共振進而輻射發光現象蘊藏著豐富的物理內涵並有望套用於電激發等離激元和納米光源器件,自被發現以來在薄膜型MIM及STM隧道結體系中得到了廣泛研究。面內橫向隧道結具有更好的可設計性,在發光調控、發光效率以及片上集...
- 複雜結構磁性隧道結中自旋極化電子隧穿輸運的理論研究
複雜結構磁性隧道結中自旋極化電子隧穿輸運的理論研究是謝征微編寫的論文 副題名 外文題名 論文作者 謝征微著 導師 李伯臧指導 學科專業 理論物理 學位級別 d 2002n 學位授予單位 中國科學院物理研究所 學位授予時間 2002 關鍵字 磁性...
- 隧道二極體
向上移到N區的電子態與P區空態不發生重疊時，正向隧道電流降到最小值，對應圖2（f）和圖1中5點。當正向電壓進一步增大時，則出現正常的PN結注入電流，其隨外加電壓指數增加，對應於圖2（g）和圖1中6點。可見隧道二極體伏安特性...
- 固體納米電子器件
當量子阱的尺度與布洛赫電子波長具有相同量級時，阱內區域量子化顯著。當入射電子具有與量子阱態相同能量時，電子隧穿量子阱的能力很強。另一種諧振隧穿器件是諧振隧穿電晶體，也是一種電壓控制器件，小的柵壓可以控制流過器件的大電流...
- 磁性隧道結中庫侖阻塞效應調控自旋積累的現象和機制
庫侖阻塞效應和自旋積累效應之間的相互影響是納米尺度下電子電荷和電子自旋動態過程相互關聯的物理問題。由此而產生的自旋相關單電子隧穿器件是納米自旋電子學的一個基本構成單元。本項目擬採用物理沉積和化學自組裝方法，通過對絕緣勢壘層上...
- 錳氧化物隧道結中自旋極化電子的隧穿輸運
錳氧化物隧道結中自旋極化電子的隧穿輸運，外文題名，Tunneling transport of spin-polarized electrons in manganite tunnel junctions，論文作者呂品著。副題名 外文題名 Tunneling transport of spin-polarized electrons in manganite tunnel ...
- 巨觀量子隧道效應
例如，在製造半導體積體電路時，當電路的尺寸接近電子波長時，電子就通過隧道效應而溢出器件，使器件無法正常工作，經典電路的極限尺寸大概在0．25微米。研製的量子共振隧穿電晶體就是利用量子效應製成的新一代器件。
- 浮柵型單電子存儲器
由於量子點的大的庫侖充電能，使得在很高的控制柵偏壓下，才能將一個電子隧穿進島。由於隧道勢壘取得合適，在控制柵壓移去後電子並不能隧穿出島，將保持漏源溝道感應導通和截止。只有在高於閾值的寫電壓或擦除電壓下，才能改變島中的...
- 江崎二極體
量子隧穿效應 在量子力學裡，量子隧穿效應（Quantum tunnelling effect）指的是，像電子等微觀粒子能夠穿入或穿越位勢壘的量子行為，儘管位勢壘的高度大於粒子的總能量。在經典力學裡，這是不可能發生的，但使用量子力學理論卻可以給出合理...
- 現代固體物理學導論
5.1 正常金屬中的Aharonov-Bohm效應 5.1.1 相關實驗工作簡述 5.1.2 簡化的理論分析 第六章 半導體二維電子氣體系和量子霍爾效應 第七章 庫侖阻塞和電子遂隧穿 第八章 團簇和納米微粒 第九章 一維和準一維體系 第十章 量子晶和...
