基本介紹
- 書名：模擬電路與數字電路（第2版）
- ISBN：7121063905, 9787121063909
- 類別：圖書
- 頁數：372頁
- 出版社：電子工業出版社
- 出版時間：2011年5月1日
- 裝幀：平裝
基本信息,內容簡介,
基本信息
出版社: 電子工業出版社; 第1版 (2011年5月1日)
叢書名: 電子信息與電氣學科規劃教材·電子電氣基礎課程 平裝: 372頁
商品重量: 599 g
ASIN: B0053H5LMM
內容簡介
本書為普通高等教育“十一五”國家級規劃教材。第一部分為第1章緒論，介紹電子電路相關基本概念；第二部分為模擬電路，包括第2~7章，內容為：半導體器件基礎、放大電路基礎、反饋放大電路、集成運算放大電路、正弦振盪電路和直流電源；第三部分為數字電路，包括第3~13章，內容為：數字邏輯基礎、組合邏輯電路、時序邏輯電路引論、時序邏輯電路的分析和設計、存儲器和可程式邏輯器件和脈衝信號的產生與整形；第四部分為附錄A~ E，內容包括：國產半導體分立器件和積體電路型號命名方法、電子電路教學常用EDA軟體簡介、積體電路基礎知識、習題參考解答和常見電子電路術語中英文對照。 本書注重基本概念、基本原理與基本計算的介紹，力求敘述簡明扼要，通俗易懂，圖形符號均採用了新國標，可以作為普通高等院校非電類各專業、電氣信息類計算機專業及其他相近專業的電子技術基礎課程教材，也可供有關工程技術人員參考。
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應電晶體，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
