《模擬電路分析與設計基礎學習指導》是2007年08月科學出版社出版的圖書，作者是吳援明、曲健。
基本介紹
- 書名：模擬電路分析與設計基礎學習指導
- 作者：吳援明、曲健
- ISBN：9787030194855
- 定價：20
- 出版社：科學出版社
- 出版時間：2007年08月
- 開本：16開
內容簡介,圖書目錄,
內容簡介
本書是為普通高等教育“十一五”國家級規劃教材《模擬電路分析與設計基礎》(吳援明，唐軍主編)而編寫的配套學習指導書。本書共分9章，主要內容包括半導體材料及二極體、雙極型晶體三極體、BJT放大電路、 MOS—FET及其放大電路、放大器的頻率回響、模擬集成單元電路、負反饋技術、集成運算放大器、集成運放電路的套用與設計。本書對教材中各章的內容進行了系統的歸納和總結，對各章的重點、難點做了較深刻的分析，對各章習題做了全面解析。
本書可作為高等院校電子、電氣信息類和其他電類專業的學習指導書，也可作為教師教學的參考書，還可作為報考理工科碩士研究生的考研輔導書。
圖書目錄
前言
第1章 半導體材料及二極體
一、內容提要
半導體材料（semiconductor material）是一類具有半導體性能（導電能力介於導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm範圍內）、可用來製作半導體器件和積體電路的電子材料。
二極體又稱晶體二極體,簡稱二極體(diode)，另外，還有早期的真空電子二極體；它是一種具有單向傳導電流的電子器件。在半導體二極體內部有一個PN結兩個引線端子，這種電子器件按照外加電壓的方向，具備單向電流的轉導性。一般來講，晶體二極體是一個由p型半導體和n型半導體燒結形成的p-n結界面。在其界面的兩側形成空間電荷層，構成自建電場。當外加電壓等於零時，由於p-n 結兩邊載流子的濃度差引起擴散電流和由自建電場引起的漂移電流相等而處於電平衡狀態，這也是常態下的二極體特性。
二、重點與難點分析
三、習題解答
第2章 雙極型晶體三極體
半導體三極體又稱“晶體三極體”或“電晶體”。在半導體鍺或矽的單晶上製備兩個能相互影響的PN結，組成一個PNP（或NPN）結構。中間的N區（或P區）叫基區，兩邊的區域叫發射區和集電區，這三部分各有一條電極引線，分別叫基極B、發射極E和集電極C，是能起放大、振盪或開關等作用的半導體電子器件。
一、內容提要
二、重點與難點分析
三、習題解答
第3章 BJT放大電路
運放是運算放大器的簡稱。在實際電路中，通常結合反饋網路共同組成某種功能模組。由於早期套用於模擬計算機中，用以實現數學運算，故得名“運算放大器”，此名稱一直延續至今。運放是一個從功能的角度命名的電路單元，可以由分立的器件實現，也可以實現在半導體晶片當中。隨著半導體技術的發展，如今絕大部分的運放是以單片的形式存在。現今運放的種類繁多，廣泛套用於幾乎所有的行業當中。
一、內容提要
電晶體分兩類：
一類是雙極性電晶體，BJT；BJT是電流控制器件；
一類是場效應電晶體，FET；FET是電壓控制器件。
二、重點與難點分析
三、習題解答
第4章 MOSFET及其放大電路
絕緣柵場效應管的種類較多，有PMOS、NMOS和VMOS功率管等，但目前套用最多的是MOS管。MOS絕緣柵場效應管也即金屬一氧化物一半導體場效應管，通常用MOS表示，簡稱作MOS管。它具有比結型場效應管更高的輸入阻抗（可達1012Ω以上），並且製造工藝比較簡單，使用靈活方便，非常有利於高度集成化
一、內容提要
金屬-氧化層-半導體-場效電晶體，簡稱金氧半場效電晶體（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效電晶體（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
要使增強型N溝道MOSFET工作，要在G、S之間加正電壓VGS及在D、S之間加正電壓VDS，則產生正向工作電流ID。改變VGS的電壓可控制工作電流ID。如圖3所示（上面↑）。
若先不接VGS（即VGS=0），在D與S極之間加一正電壓VDS，漏極D與襯底之間的PN結處於反向，因此漏源之間不能導電。如果在柵極G與源極S之間加一電壓VGS。此時可以將柵極與襯底看作電容器的兩個極板，而氧化物絕緣層作為電容器的介質。當加上VGS時，在絕緣層和柵極界面上感應出正電荷，而在絕緣層和P型襯底界面上感應出負電荷（如圖3）。這層感應的負電荷和P型襯底中的多數載流子（空穴）的極性相反，所以稱為“反型層”，這反型層有可能將漏與源的兩N型區連線起來形成導電溝道。當VGS電壓太低時，感應出來的負電荷較少，它將被P型襯底中的空穴中和，因此在這種情況時，漏源之間仍然無電流ID。當VGS增加到一定值時，其感應的負電荷把兩個分離的N區溝通形成N溝道，這個臨界電壓稱為開啟電壓（或稱閾值電壓、門限電壓），用符號VT表示（一般規定在ID=10uA時的VGS作為VT）。當VGS繼續增大，負電荷增加，導電溝道擴大，電阻降低，ID也隨之增加，並且呈較好線性關係，如圖4所示。此曲線稱為轉換特性。因此在一定範圍內可以認為，改變VGS來控制漏源之間的電阻，達到控制ID的作用。
由於這種結構在VGS=0時，ID=0，稱這種MOSFET為增強型。另一類MOSFET，在VGS=0時也有一定的ID（稱為IDSS），這種MOSFET稱為耗盡型。它的結構如圖5所示，它的轉移特性如圖6所示。VP為夾斷電壓（ID=0）。
耗盡型與增強型主要區別是在製造SiO2絕緣層中有大量的正離子，使在P型襯底的界面上感應出較多的負電荷，即在兩個N型區中間的P型矽內形成一N型矽薄層而形成一導電溝道，所以在VGS=0時，有VDS作用時也有一定的ID(IDSS）；當VGS有電壓時（可以是正電壓或負電壓），改變感應的負電荷數量，從而改變ID的大小。VP為ID=0時的-VGS，稱為夾斷電壓。
二、重點與難點分析
三、習題解答
第5章 放大器的頻率回響
一、內容提要
二、重點與難點分析
三、習題解答
第6章 模擬集成單元電路
一、內容提要
二、重點與難點分析
三、習題解答
第7章 負反饋技術
一、內容提要
二、重點與難點分析
三、習題解答
第8章 集成運算放大器
一、內容提要
集成運算放大器（Integrated Operational Amplifier）簡稱集成運放，是由多級直接耦合放大電路組成的高增益模擬積體電路。它的增益高（可達60~180dB），輸入電阻大（幾十千歐至百萬兆歐），輸出電阻低（幾十歐），共模抑制比高（60~170dB），失調與飄移小，而且還具有輸入電壓為零時輸出電壓亦為零的特點，適用於正，負兩種極性信號的輸入和輸出。
模擬積體電路一般是由一塊厚約0.2~0.25mm的P型矽片製成，這種矽片是積體電路的基片。基片上可以做出包含有數十個或更多的BJT或FET、電阻和連線導線的電路。
運算放大器除具有+、-輸入端和輸出端外，還有+、-電源供電端、外接補償電路端、調零端、相位補償端、公共接地端及其他附加端等。它的閉環放大倍數取決於外接反饋電阻，這給使用帶來很大方便。
二、重點與難點分析
三、習題解答
第9章 集成運放電路的套用與設計
一、內容提要
二、重點與難點分析
三、習題解答
