《極化增強的AlGaN日盲雪崩光電探測器研究》是依託南京大學,由陳敦軍擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名:極化增強的AlGaN日盲雪崩光電探測器研究
- 項目類別:面上項目
- 項目負責人:陳敦軍
- 依託單位:南京大學
《極化增強的AlGaN日盲雪崩光電探測器研究》是依託南京大學,由陳敦軍擔任項目負責人的面上項目。
《AlGaN日盲紫外雪崩光電二極體的研究》是依託中山大學,由江灝擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 紫外探測器在飛彈預警及追蹤,生化反應的早期檢測,工業控制及火災報警等方面有著廣泛的套用。基於AlGaN材料的紫外探測器可通過調整Al組分實現日盲,從而降低背景噪聲,省去長波長濾光片,具有成本低、體積小、量子效率高、...
《背照式SAM結構AlGaN基日盲紫外雪崩光電探測器研究》是依託華中科技大學,由陳長清擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 AlGaN基日盲紫外雪崩光電探測器(APD)在航空航天與高端武器平台等領域有著重要的套用前景。傳統PIN結構的AlGaN基APD,因受器件自身結構和材料質量的限制,存在雪崩增益低、倍增噪聲大等缺點。本課題擬...
北京郵電大學製備出回響度43A/W,外量子效率2.1×104 %的Ga2O3基日盲紫外探測器。單晶鈮酸鋰薄膜材料的開發和各類集成光電器件的研究:用於鈮酸鋰薄膜材料製備的物理方法有分子束外延法,磁控濺射法等。這些方法沉積的薄膜多為多晶態,當光在薄膜波導中傳輸時,存在晶粒間界多,散射大,損耗高的問題。我們採用國際最...
第9章日盲和可見光盲AlGaN探測器/192 摘要192 9.1簡介193 9.2光電探測器基礎195 9.2.1特徵參數與現象195 9.2.2各種類型的半導體光電探測器202 9.3Ⅲ族氮化物用於固態UV光電檢測211 9.3.1AlGaN基光電導體213 9.3.2AlGaN基MSM光電探測器213 9.3.3AlGaN基肖特基勢壘光電二極體214 9.3.4AlGaN...
一、光電真空探測器,如光電倍增管、像增強器和EBCCD等;二、光電導探測器,如GaN基和AlGaN基電光導探測器等;三、光伏探測器,如Si,SiC,GaN P-N結和肖特基勢壘光伏探測器以及CCD。紫外線探測器對紫外輻射具有高回響。其中,日盲紫外探測器的光譜回響區集中在中紫外(波長小於290nm),而對紫外區以外的可見光及...
3.5.3 極化和能帶工程在雪崩光電二極體中的套用 58 3.6 InGaN光電探測器的製備及套用 64 3.6.1 材料外延 65 3.6.2 器件製備 66 3.7 波長可調超窄帶日盲紫外探測器 72 參考文獻 77 第4章 SiC紫外光電探測器 87 4.1 SiC材料的基本物理特性 88...
1、國家自然科學基金面上項目《 AlGaN基p-i-n紫外日盲探測器在雪崩軟擊穿過程中的損傷機理研究 》,主持 2、國家自然科學基金青年基金項目《高密度片外納米孿晶銅連線在力-電-熱耦合作用下的力學行為》,主持 3、國家自然科學基金-廣東聯合基金重點項目,《半導體照明系統可靠性強化機理與試驗方法設計》,總排名第二...
( 5 ) 一種AlGaN日盲紫外光電電晶體探測器及其製作方法, 發明, 2021, 第 1 作者, 專利號: ZL201811398729.3 ( 6 ) 一種場致電子束泵浦紫外光源, 發明, 2020, 第 1 作者, 專利號: ZL201811405854.2 ( 7 ) 紫外紅外雙色探測器及其製作方法, 發明, 2020, 第 2 作者, 專利號: ZL201810442396.3 ...
第三代半導體被列為國家未來半導體領域重點發展方向,研究團隊重點發展方向之一是基於深紫外發光二極體的集成光電子系統,致力於促進深紫外發光系統在醫療、衛生、探測、通信等領域的套用;基於團隊在高Al組分的AlGaN基半導體器件領域的研究優勢,發展日盲紫外探測器及成像系統;先進顯示技術的開發與研究,探索GaN基MicroLED與...
他帶領課題組突破了一批高質量氮化物半導體材料製備核心技術,成功研製出技術指標先進的一系列新材料和新型器件;建立了一系列氮化物半導體光電物理模型,填補了氮化物半導體基本物性參數空白,豐富發展了氮化物半導體器件物理知識;研製出了一系列新型高性能光電器件,尤其是日盲紫外探測器和單光子紫外探測器一直保持著國際領先...
324第6章 鋁鎵氮焦平面探測器晶片技術……… 3286.1 概述……… 3286.2 鋁鎵氮p - i - n 型日盲紫外探測器的回響模型及設計……… 3286.2.1 AlGaN 薄膜材料的材料參數……… 3296.2.2 AlGaN 異質結p - i - n 探測器的回響模型及設計……… 3296.3 鋁鎵氮共振增強型紫外探測器……… 3366...