楊盛誼，北京交通大學副教授，現為北京理工大學材料學院博導。
基本介紹
- 中文名：楊盛誼
- 出生地：湖南省懷化市通道侗族自治縣
- 出生日期：1971 年 10 月
- 職業：北京交通大學副教授，現為北京理工大學材料學院博導
簡介,擔任學術職位,個人簡歷,參與項目,研究領域,發表論文,榮譽稱號,科研內容,近期代表性論文,
簡介
出生年月： 1971 年 10 月生
出生地：湖南省懷化市通道侗族自治縣
民族：侗族
學歷職稱： 留學回國人員,博士,副教授,博士生導師
擔任學術職位
目前是《Chinese Physics Letters》的特約審稿人，同時還是《Organic Electronics》、《Current Applied Physics》、《Electrochemical and Solid-State Letters》、《半導體學報》和《物理化學學報》等國內外重要學術期刊的審稿人。同時，也是國家自然科學基金評審專家和高等學校博士學科點專項科研基金評審專家。中國化學學會 (Chinese Chemical Society, CCS) 會員。
個人簡歷
1998 年 4 月 ----2001 年 3 月在北京交通大學從事有機電致發光的研究，獲得“信號與信息處理專業”工學博士學位。
2001 年 5 月 ----2003 年 3 月，在加拿大多倫多大學物理系做博士後研究，從事量子光學的理論和實驗工作。
2007年7月被評為博士生導師。
2009年7月調入北京理工大學材料科學與工程學院，加入納米光子學材料與技術研究組。
參與項目
北京交通大學“人才“基金一項、校重點基金一項；參與的主要課題有： 973 項目一項、國家自然科學基金兩項。
參加了國家自然科學基金重大項目“電子聚合物場致複合發光中激發態產生及弛豫的研究 ”, 重點對載流子的傳輸、隧穿以及電導等基本問題進行了系統、深入的研究。已在國際、國內知名期刊上發表了四十多篇學術論文。
研究領域
納米光子學材料在發光二極體、發光電晶體和太陽能電池等光電子器件中的套用基礎研究。
發表論文
1 、 Shengyi Yang, et al., “ A Multi-pass Ti:sapphire Amplifier based on a parabolic mirror ”, Optics Communications , 234 (1-6) (2004)385
2 、 Shengyi Yang, et al., “Beam overlapping in a multipass Ti:sapphire amplifier based on a parabolic mirror”, ( Accepted by Optics and Laser Technology )
3 、 Shengyi Yang, et al., “The Recombination Current in Single-Layer Organic Light-Emitting Diodes with High Injection Barriers at High Fields” ， Applied Physics Letters , 79 (16) (2001) 2529
4 、 Shengyi Yang, et al., “Carriers Recombination in Bilayer Organic Light-Emitting Diodes at High Electric Fields ”, Chemical Physics ， 274 (2-3) (2001)267
5 、 Shengyi Yang, et al., “An Accurate Method to Calculate the Negative Dispersion Generated by Prism Pairs ” ， Optics and Lasers in Engineering ， 36 (4) (2001)381
6 、 Shengyi Yang, et al., “Color-variable electroluminescence from poly( p -phenylene vinylene) derivatives ” ， Displays , 21 (2000)65
7 、 Shengyi Yang, et al., “Influence of the Electric Field on Carriers Recombination Zone in Bilayer Organic Electroluminescent Device ” ， Chinese Science Bulletin ， 45 (17) (2000)1623
8 、 Shengyi Yang, et al., “Carriers Recombination in Single-layer Organic Devices with High Interface Barriers at High Fields”, Science in China (Ser. F) , 44 (3) (2001)168
榮譽稱號
教育部新世紀優秀人才
北京市科技新星
科研內容
楊盛誼博士在攻讀博士學位期間，在有機場致發光的機理研究方面，參加了國家自然科學基金重大項目“電子聚合物場致發光激發及弛豫的研究”（項目號29992530），對有機電致發光中載流子的傳輸、隧穿以及電導等基本問題進行了系統、深入的研究。綜合考慮了載流子界面注入及體效應對電荷輸運的影響，獲得了關於複合效率及器件電導的理論表達式，提出了獲得高效電致發光的兩個條件是載流子的平衡注入和複合區域位於器件中部[S.Y. Yang, et al., Appl. Phys. Lett. 79 (2001)2529；S.Y. Yang, et al., Science in China (F) 44 (2001) 168]。基於Fowler-Nordheim隧穿注入理論，建立了高場下有機雙層器件的載流子複合發光模型，討論了注入勢壘和陽極區與陰極區厚度之比對複合電流密度及複合效率的影響[S.Y. Yang, et al., Chem. Phys., 274 (2001) 267]。該複合發光模型能很好地從理論上解釋電場對載流子遷移率及複合區域的調製作用[S.Y. Yang, et al., Chin. Sci. Bull. 45 (2000)1623]；通過選擇合適的發光材料，在雙層結構器件中看到了複合發光區域隨電壓而改變的電致變色現象[S.Y. Yang, et al., Displays, 21 (2000) 65]。
同時，對載流子在異質結界面處的電子過程（包括Exciplex發光和Electroplex發光、激子的離化或複合發光等行為）進行了實驗和理論的研究[S.Y. Yang, et al., J. Appl. Phys.97 (2005) 126101; S.Y. Yang, et al., Eur. Phys. J. B 52 (2006) 329; S.Y. Yang, et al., J. Appl. Phys. 101 (2007) 096101]。探索了不同電場強度對異質結界面處載流子的複合發光的影響。利用異質結處激基複合物的發光，並通過三基色原理，可以直接合成得到白光器件。
在白色電致發光器件方面，通過改變“有機-無機”複合的方法，我們已經成功製得高亮度和高穩定度的白光器件，此項研究工作已申請了國家專利[S.Y. Yang, et al., Solid State Commun. 139 (2006) 415; 國家發明專利200610002635.0]。此外，我們也對BCP超薄層在多層全有機白光器件中的套用進行了研究[Z.R. Deng, S.Y. Yang, et al., Acta Physico-Chimica Sinica, 24 (4) (2008) 700; Z.R. Deng, S.Y. Yang, et al., Spectroscopy and Spectral Analysis, 29 (03) (2009) 593.]
另外，對垂直構型有機/無機場效應發光管以及有機場效應電晶體的工作機理有了較為深入的理解，也發表了一些實驗結果[S.Y. Yang, et al., J. Lumin. (in press); S. Y. Yang, et al., Acta Physica Sinica, 58(5) (2009) 3427]。
近期代表性論文
(1) Shengyi Yang, Wenshu Du, Jieru Qi, Zhidong Lou, “Vertical organic light-emitting transistors with central Al gate inserted between two hole-transporting layers”, Journal of Luminescence (in press)
(2) Shengyi Yang, Wenshu Du, Jieru Qi, Zhidong Lou, “Study on the optoelectronic characteristics of NPB-based vertical organic light-emitting transistors”,Acta Physica Sinica (in press).
(3) Zhaoru Deng, Shengyi Yang, Lingchuan Meng, Zhidong Lou, “Application of ultrathin layer in white organic electroluminescent devices”, Acta Physico-Chimica Sinica, 24 (4) (2008) 700.
(4) Shengyi Yang, Xiulong Zhang, Zhidong Lou, Yanbing Hou, “Influence of heterojunction interface on exciplex emission from organic light-emitting diodes under electric fields”, Applied Physics A: Materials Science and Processing, 90 (3) (2008) 475
(5) S. Y. Yang, X. L. Zhang, Z. D. Lou, and Y. B. Hou, “Charge tunneling and cross recombination at organic heterojunction under electric fields”, The European Physical Journal B, 59 (2007) 151
(6) Shengyi Yang, Xiulong Zhang, Yanbing Hou, Zhenbo Deng, Xurong Xu, “Charge carriers at organic heterojunction interface: exciplex emission or electroplex emission?”, Journal of Applied Physics, 101 (2007) 096101.
(7) Shengyi Yang, De’ang Liu, Yan Jiang, Feng Teng, Zheng Xu, Yanbing Hou, Xurong Xu, “Impact of electric fields on the emission from organic light-emitting diodes based on polyvinylcarbazole (PVK)”, Journal of Luminescence, 122-123 (2007) 614.
(8) Yan Jiang, Shengyi Yang, Feng Teng, Zheng Xu, Yanbing Hou, Xurong Xu, “Influences of organic hole-transport layer on the emission of organic-inorganic heterostructure devices”, Journal of Luminescence, 122-123 (2007) 617.
(9) Xiulong Zhang, Shengyi Yang, Zhidong Lou, Yanbing Hou, “Dynamic electrical characteristics of organic light-emitting diodes”, ACTA PHYSICA SINCA, 56 (2007) 1632.
(10) Shengyi Yang, Yan Jiang, Feng Teng, Zheng Xu, Yanbing Hou, Xurong Xu, “The roles of zinc selenide sandwiched between organic layers and its applications in white light-emitting diodes”, Solid State Communications, 139 (2006) 415.
(11) S.Y. Yang, D. Liu, Y. Jiang, F. Teng, Z. Xu, Y. Hou, and X.R. Xu, “Charge carriers bulk recombination instead of electroplex emission after their tunneling through hole-blocking layer in OLEDs”, European Physical Journal B, 52 (2006) 329.
(12) Yan Jiang, Shengyi Yang, Feng Teng, Zheng Xu, Yanbing Hou, “ZnSe-based organic-inorganic heterostructure devices”, ACTA PHYSICA SINCA, 55 (2006) 4860.
