楊恢東

楊恢東，男，博士，教授，教研室主任。1985年9月~1992年7月就讀於武漢大學物理系半導體專業，獲碩士學位，2000年9月～2003年6月，在南開大學光電所攻讀博士學位。

基本介紹

• 中文名：楊恢東
• 外文名：Yang Huidong
• 國籍：中國
• 民族：漢
• 職業：教授
• 畢業院校：武漢大學
• 職稱：博士，教授
• 性別：男

人物經歷

1992年7月至2004年2月，工作於五邑大學薄膜與納米材料研究所，從事半導體納米材料製備、光電特性及其套用等方面的研究工作，先後參與或承擔省自然科學基金2項、國家自然科學基金3項，江門市科技攻關項目1項。在南開大學光電所攻讀博士學位期間，參與承擔 “973”國家重點基礎研究發展規劃項目和教育部科學技術研究重大項目的研究，曾經獲得南開大學2003年度科技論文SCI、EI、ISTP三大檢索總排名第三。

2004年3月調入暨南大學電子系，主要從事半導體光電子薄膜材料與器件、積體電路設計等領域研究工作。目前，主要承擔暨南大學自然科學基金項目和廣東省自然科學博士啟動基金項目各一項，併兼任半導體學報、IEEE-transactions on plasma science等國內外權威雜誌審稿人。

近年來，在Int. Journal of Modern Physics、Thin Solid Films、Chinese Physics、半導體學報、物理學報、光學學報等國內外學術刊物上發表論文40多篇，其中SCI收錄11篇，EI收錄16篇，ISTP收錄6篇。

社會職務

廣東省材料學會光伏專業委員會委員

廣東省綠色能源技術重點實驗室學術委員會委員

廣東省企業發展戰略研究會副秘書長

榮譽與獎勵

1．獲獎情況：

2001.10 市級自然科學優秀論文一等獎

2002.10 南開大學優秀研究生獎

2003.11 市級自然科學優秀論文一等獎、二等獎各一項

2005.5 南開大學2003年度科技論文《SCIE》、《EI》、《ISTP》三大檢索總排名第三

2．主要成果：

（1）a-Si PIN/PLED器件研究（成果登記號：津20032038）

（2）倒置有機發光器件研究及其有源選址矩陣探索（成果登記號：津20042083）

研究領域

主要從事納米半導體材料、納米磁性多層膜、薄膜半導體光電子材料與器件、有機發光顯示驅動以及積體電路設計等領域研究工作。

承擔課題：

1．國家自然科學基金：
1) 離子注入非連續多層膜巨磁電阻效應的研究(59771026)，1998-2000，12萬元，參加。
2) GaAs納米顆粒膜中混和激子超快光學非線性及其套用研究(69806008)，1999-2001，16萬元，參加。
3) 倒置有機發光器件及其有源選址矩陣探索(60077011)，2001-2003，16萬元，參加。
2．“973”國家重點基礎研究發展規劃項目：低溫晶化矽薄膜材料及非晶矽/低溫晶化矽疊層電池的研究(G2000028203)，2000-2005，427萬元，參加。
3．教育部科學技術研究重大項目：低溫晶化矽薄膜太陽電池的研究(02167).2003-2005，20萬元，參加。
4．廣東省自然科學基金：
1) 半導體/介質納米顆粒鑲嵌薄膜非線性光學性質的研究(970716).1998-1999，7.8萬元，參加。
2) 面心四方磁性合金-碳納米顆粒膜超高密硬碟介質的研究(010482).2002-2004，6萬元，參加。
3) 微晶矽薄膜甚高頻PECVD法高速沉積與生長機理研究（5300378）2006-2007，主持。
4) 甚高頻PECVD法低溫沉積微晶矽薄膜太陽能電池研究（06025195），2007-2008，主持。
5．國家重點實驗室開放課題：GaAs/SiO2納米顆粒鑲嵌薄膜中光生載流子馳豫過程的研究，1999.1-2001.7，2萬元，參加。
6．廣東省科技計畫項目：高比功率柔性矽薄膜疊層太陽能電池的研究（2006A10702001），2007-2008，20萬元，主持。
7．江門市科技攻關項目：甚高頻PECVD法沉積微晶矽薄膜及生長動力學研究（江財企61號），2003-2004，3萬元，主持。
8．廣州市科技攻關項目：超高頻無源RFID電子標籤晶片的研製（2006Z3-D3011），40萬元，2005-2008，參加。
9．暨南大學自然科學基金：甚高頻PECVD法沉積微晶矽薄膜及生長動力學研究（51204056），2004-2006，4萬元，主持。
10．國家高技術研究發展計畫（863）項目：單室低成本新型高效矽基薄膜疊層電池製造技術研究（2007AA05Z436），2007-2011，80萬元，參加，排名第三。
11．省部產學研結合重點項目：高效低成本非晶矽/微晶矽異質結疊層太陽能電池（2008A090400011），2009-2010，100萬元，第一合作單位項目主持人。
12．粵港關鍵領域重點突破項目：高性價比非晶矽/微晶矽疊層太陽電池製造及光伏發電示範工程（2008A011800005），2009-2011，250萬元，第一合作單位項目主持人。

主要論文

（1） 非晶矽/微晶矽過渡區材料的PECVD法製備與特性研究，第十屆中國太陽能光伏會議論文集，浙江大學出版社，2008，363-367。
（2） 柔性襯底上a-SiNx:H絕緣介質薄膜的製備與特性研究，第十屆中國太陽能光伏會議論文集，浙江大學出版社，2008，396-399。
（3） 摻雜濃度對P型c-Si:H材料特性的影響，第十屆中國太陽能光伏會議論文集，浙江大學出版社，2008，494-497。
（4） 微晶矽薄膜VHF-PECVD法製備中電漿功率的調製作用，光電子雷射，2007，18（5）：558-563(EI收錄)。
（5） SubstrateeffectonhydrogenatedmicrocrystallinesiliconfilmsdepositedwithVHF-PECVDtechnique，金屬學報（英文版），2006，19(4):295-300(EI收錄)。
（6） RoleofhydrogeninhydrogenatedmicrocrystallinesiliconfilmandindepositionprocesswithVHF-PECVDtechnique，ChinesePhysics，2006，15(6):1374-1378(SCI收錄）。
（7） 襯底溫度對微晶矽薄膜沉積與結構特性的影響，光電子雷射，2005，15（6）：646-649（EI收錄）。
（8） Influenceofsubstratetemperatureonthedepositionandstructuralpropertiesofmc-Si:HthinfilmsfabricatedwithVHF-PECVD,Opto-ElectronicsLetters,2005，1(1):0021-0023。
（9） 弱硼摻雜補償對對氫化微晶矽薄膜製備與特性的影響，半導體學報，2005，26（6）：1164-1168（EI收錄）。
（10） StructuralpropertiesinvestigationonmicrocrystallinesiliconfilmsdepositedwithVHF-PECVDtechnique,金屬學報（英文版），2005，18（3）：223-227（EI收錄）。
（11） Opticalemissionspectroscopy(OES)investigationonVHFplasmaanditsglowdischargemechanismduringthemc-Si:Hfilmdeposition,ThinSolidFilms（SCI收錄）.2005,472(1-2):125-129。
（12） VHF-PECVD法高速率沉積氫化微晶矽薄膜,太陽能學報，2004，（2）：(EI收錄)。
（13） InvestigationontheoxygencontaminationduringthedepositionofμC-Si:HthinfilmbyVHF-PECVD,太陽能學報(增刊),2003,:5-8（EI收錄）。
（14） 薄膜a-SiPIN/OLED圖像感測顯示器的設計與模擬，半導體學報，2002，23（8）：846-851（EI收錄）。
（15） FabricationofHydrogenatedMicrocrystallineSiliconThinFilmsatLowTemperaturebyVHF-PECVD，半導體學報,2002,23(9):902-908(9)(EI收錄)。
（16） Highgrowth-ratedepositionofc-Si:HthinfilmatlowtemperaturewithVHF-PECVD,InternationalJournalofmodernPhysicsB,2002,16(28&29):4259-4262(SCI收錄，ISTP收錄)。
（17） InvestigationonGlowDischargeDynamicMechanismofVHF-PECVDToPrepareMicrocrystallineSiliconThinFilm,InternationalJournalofmodernPhysicsB,2002，16(28&29):4475-4478(SCI收錄，ISTP收錄)。
（18） VHF電漿光發射譜（OES）的線上監測，物理學報，2003,52(9):2324-2330(SCI收錄，EI收錄)。
（19） Investigationontheroleofoxygeninμc-Si:HthinfilmanditsdepositionprocesswithVHF-PECVD。ConferenceRecordoftheIEEEPhotovoltaicSpecialistsConference,2002,p1262-1265（EI收錄，ISTP收錄）。
（20） Investigationontheroleofoxygeninμc-Si:HthinfilmdepositedwithVHF-PECVD，Proceddingsofthe3rdWorldConferenceonPhotovoltaicEnergyConversion,2003,p1647-1650（EI收錄，ISTP收錄）。
（21） 甚高頻PECVD法沉積c-Si:H薄膜中氧污染的初步研究，物理學報，2003,52(11):2865-2869(SCI收錄，EI收錄)。
（22） 氫化非晶/微晶矽製備中射頻輝光放電電漿的光發射譜研究,光電子雷射，2003，14(4):375-379(EI收錄)。
（23） 雷射Z掃描測量技術，雷射技術，2000，24(4):195-202(EI收錄)。
（24） 雷射Z掃描技術的理論與實驗，光電子雷射，1999,10(1):90-94(EI收錄)。
（25） 納米半導體薄膜製備技術，真空與低溫，1999，5(2):81-87。
（26） 納米材料製備技術研究進展，五邑大學學報，1999，13（4）:17-25。
（27） 摻氫GaAs薄膜的表面形貌及光學性質研究，雲南大學學報，2005，27（5A）：609-612。
（28） anoveldesignofsub-frameandcurrentdrivingmethodforPM-OLED,SID,2002,42.1:1174-1177。
（29） asimulationmethodfora-SiPIN/OLEDcouplingdevice,Proceedingsofthe7thAsianSymposiumoninformationDisplay(ASID’2002):217-220。
（30） FabricationandcharacterizationofInPnanocrystalsembeddedinSiO2matrixbyRFmagnetronco-sputtering.MaterialsChemistryandPhysics,2002,76:262-266（SCI收錄,EI收錄）。
（31） Numericalsimulationoftheinfluenceofthegapstateofa-Si:Honthecharacteristicsofa-Si:Hp-i-n/OLEDcouplingdevice,MATERIALSRESEARCHSOCIETYSYMPOSIUMPROCEEDINGS,762，223-228,2003(SCI收錄、EI收錄，ISTP收錄)。
（32） a-Si太陽電池陷光結構的新模型及其最佳化,光電子雷射，2001,12(12):1222-1225.(EI收錄)。
（33） 聚合物發光器件中輸運特性的模擬分析，半導體學報，2001,22(9):1176-1181.(EI收錄)。
（34） GaAs/SiO2納米晶鑲嵌薄膜的拉曼光譜與吸收光譜研究，光學學報，光學學報,2000,20(6):847-851（SCI收錄,EI收錄）。
（35） 半導體/介質納米顆粒鑲嵌材料中光致載流子弛豫過程的研究進展，半導體技術,2000,25(2):1-6。
（36） 半導體/介質納米顆粒鑲嵌材料的超快雷射光譜學，半導體技術，2000,25(3):38-42。
（37） CaⅠ3d6p和3d4f態的新VUV光譜測量和研究,原子與分子物理學報，1999，16(3):381-384。
（38） 巨磁電阻薄膜及巨磁電阻隨機暫存器，微細加工技術，1998，(1):33-36(EI收錄)。
（39） InfluenceofannealingconditionsonthechemicalstatesofInP/SiO2nanocompositefilmsdepositedbyRFmagnetronco-sputtering,SPIE,2000,4086:213-216.FOURTHINTERNATIONALCONFERENCEONTHINFILMPHYSICSANDAPPLICATIONS4086:213-216,2000（ISTP收錄）。
（40） 有機發光器件中缺陷態行為表現，光電子雷射，2002,13(5):445-449.(EI收錄)。
（41） 鑲嵌於介質中半導體納米顆粒非線性光學性質的研究動態，半導體技術，1998,23(2):6-10。
（42） 高密度磁記錄讀磁頭用巨磁電阻薄膜研究進展，材料導報，1998，12（4）:20-23。