李京波(博士生導師)

李京波，男，博士，研究員，博士生導師。2007年入選中科院“百人計畫”，2009年獲“國家傑出青年基金”。2001年畢業於中國科學院半導體研究所，獲得理學博士學位。2001年至2004年，在美國伯克利勞倫斯國家實驗室做博士後；2004年至2007年，美國再生能源國家實驗室助理研究員；2007年5月，入選中國科學院“百人計畫”，同時進入半導體超晶格國家重點實驗室工作，從事半導體摻雜機制和納米材料的研究。

基本介紹

• 中文名：李京波
• 外文名：Jingbo Li
• 國籍：中國
• 民族：漢
• 職業：教授
• 主要成就：入選中國科學院“百人計畫”等等

科研成果

在半導體摻雜機制和納米材料等前沿領域中取得的一系列創新性研究成果：(1)發表了一百餘篇論文（其中“Nature”一篇，“Nature Material”一篇，“PRL”六篇，“Nano Letters”四篇，“JACS”二篇，“APL”十八篇，“PRB/JPCC”三十六篇），對半導體光電材料與器件的設計有重要的指導作用。(2)首次從理論上研究了形狀對納米糰簇電子態的影響，並且對相關的實驗進行了解釋。(3)與合作者提出了Charge Patching方法，實現了上萬原子的第一性原理精度計算，該方法特別適用於大原胞的半導體合金和納米糰簇的大規模計算。(4)對半導體摻雜機制有深入的研究，提出GaN和ZnO等實現p-型摻雜的實驗模型，並用第一性原理進行計算，獲得國際同行的廣泛關注。(5)首次研究了量子點中雜質的穩定性, 預言在矽摻雜的GaAs量子點中，如量子點的尺寸小於14納米，將出現DX深能級中心。(6)首次預言了CdS量子點比CdSe量子點更容易觀察到“暗激子現象”，該預言被美國P.F.Barbara教授的實驗小組所證實。論文已經被國際同行高度評價和大量引用，至今已被引用兩千餘次。2008年9月2日《科技日報》第十版以《李京波：半導體照明學科帶頭人》為題報導了其最新研究進展。2009年3月17日《自然》（亞洲材料）報導了其研究小組在光催化材料研究中取得的重要進展。2009年獲國家傑出青年基金（信息學部）。2011年獲浙江省“千人計畫”榮譽稱號，2012年中科院“百人計畫”終期評估，獲評“優秀”

主要項目

1.　中國科學院“百人計畫”啟動基金 (2007年，70萬元)。

2.　中科院重大項目“ZnO寬禁帶半導體材料的摻雜特性理論研究”（2006年至2009年，30萬元）。

3.　中科院半導體所三期創新方向性重大項目“與固態照明相關物理和器件的研究”（2007年至2009年，160萬元）。

4.　中國科學院“百人計畫”（2008年至2012年，200萬元）。

5.　國家傑出青年基金（2009年至2013年，200萬元）。

6.　863計畫新材料領域2008年重點項目(首席專家)—“高效氮化物LED材料及晶片關鍵技術”，（2009年至2012年，946萬元）。

7.　中科院-英研究理事會（EPSRC）合作項目“Semiconductor nanocrystals for solar cells: Tuning shape,size and interface effects”（2011年至2014年，45萬元，英方30萬英鎊）。

8.　973項目《以Dirac系統為代表的低維量子體系的新奇量子現象研究》子課題（2011年至2016年，150萬元）。

代表論著

1) “Origin and enhancement of hole-induced ferromagnetism in first-row d0 semiconductors”, H. W. Peng, H. J. Xiang, S. H. Wei*, S. S. Li, J. B. Xia, and Jingbo Li*, Phys. Rev

2) “Design of narrow-gap TiO2 for enhanced photoelectrochecmical activity: A passivated codoping approach”, Y. Q. Gai, Jingbo Li*, S. S. Li, J. B. Xia, and S. H. Wei*, Phys. Rev

3) “Design of shallow acceptors in ZnO: First-principles band-structure calculations”, Jingbo Li, S. H. Wei, S.S. Li and J.-B. Xia, Phys

4) “Mutual Passivation of Donors and Isovalent Nitrogen in GaAs”, Jingbo Li, P. Carrier, S.-H. Wei, S.-S. Li and J.-B. Xia, Phys

5) “Stability of DX center in GaAs Quantum Dots”, Jingbo Li, S.-H. Wei, L.-W. Wang,　Phys

6) “Band-structure-correlated local density approximation study of semiconductor quantum dots and wires”, Jingbo Li and L.-W. Wang, Phys

7) “Colloidal nanocrystal heterostructures with linear and branched topology”, D.J.Milliron, S.M.Hughes, Yi Cui, L.Manna, Jingbo Li, L.W.Wang and A

8) “First principle study of core/shell quantum dots”, Jingbo Li and L.W. Wang, Appl. Phys

9) “Electronic Structure of InP Quantum Rods: Differences between Wurzite, Zinc Blende, and Different Orientations”, Jingbo Li and L.W

10) “Two-versus three-dimensional quantum confinement in indium phosphide wires and dots”, H.Yu, Jingbo Li, R. A. Loomis, L.W. Wang and W.E

11) “Shape Effects on Electronic States of Nanocrystals”, Jingbo Li, and L.W

12) “High Energy Excitations in CdSe Quantum Rods”, Jingbo Li, and L.W