固體缺陷中的一大類
基本介紹
- 中文名:本徵缺陷
- 外文名:native defects,intrinsic defects
固體缺陷中的一大類
這樣就在晶體中相應地形成了空位缺陷、間隙原子缺陷、和位錯缺陷等。本徵缺陷主要是指空位缺陷和填隙缺陷以及錯位原子所造成的缺陷。 [1] ...
點缺陷是晶體中晶格上的一種局部錯亂,影響範圍只有鄰近幾個粒子。根據點缺陷不同的成因可以將點缺陷分為下面三類:本徵缺陷、雜質缺陷和電子缺陷。...
雜質原子主要分為置換(替代)雜質原子和間隙雜質原子兩種,雜質缺陷的濃度與溫度無關,主要取決於溶解度和摻雜量,屬於非本徵缺陷。一般雜質原子的含量都小於1%,但此...
2.2.1 點缺陷的構型分類及符號17 2.2.2 點缺陷反應式的書寫規則18 2.2.3 點缺陷的濃度18 2.3 點缺陷的形成19 2.3.1 本徵缺陷19 2.3.2 ...
本方向通過研究材料的缺陷微結構,確定材料(如鈮酸鋰、鉭酸鋰、 BCT 等)中本徵缺陷、非本徵缺陷對材料弱光非線性光子學特性的影響。開發高效光子學材料缺陷調控...
此外,對於許多寬頻隙半導體(如CdS、AlN、SiC、GaN)的歐姆接觸,在技術上尚很不成熟,其原因是這種半導體的自補償作用(即大量的晶體本徵缺陷對於施主雜質或者對於受主...
4.3 鈮酸鋰晶體的非本徵缺陷結構4.3.1 二價摻雜離子的占位4.3.2 高價摻雜離子的占位4.4 鈮酸鋰晶體中Li/Nb比對結構和性能的影響4.4.1 Li/Nb比對鈮酸鋰晶體Raman...
4.3 鈮酸鋰晶體的非本徵缺陷結構4.3.1 二價摻雜離子的占位4.3.2 高價摻雜離子的占位4.4 鈮酸鋰晶體中Li/Nb比對結構和性能的影響4.4.1 Li/Nb比對鈮酸鋰晶體Raman...
10.2.3碳化矽中的本徵缺陷26710.2.4SiC的輻照摻雜27010.3雜質對碳化矽外延層生長的影響27310.3.1碳化矽異質外延27310.3.2SiC競位外延274...