主要依賴熱缺陷進行的擴散叫本徵擴散。在雜質原子往半導體中進行熱擴散時，如果雜質原子的濃度小於熱擴散溫度下半導體中的本徵載流子濃度，則雜質原子的擴散係數為常數，這種擴散就稱為本徵擴散。
基本介紹
- 中文名：本徵擴散
- 外文名：Intrinsic diffusion
- 類型：熱缺陷進行的擴散
- 元素：雜質原子
本徵擴散（Intrinsic diffusion）：
主要依賴熱缺陷進行的擴散叫本徵擴散。在雜質原子往半導體中進行熱擴散時，如果雜質原子的濃度小於熱擴散溫度下半導體中的本徵載流子濃度，則雜質原子的擴散係數為常數，這種擴散就稱為本徵擴散。只有在摻雜濃度較低、或者擴散溫度較高時才可能是本徵擴散。滿足本徵擴散條件的區域即稱為本徵擴散區。在本徵擴散區內，如果擴散有兩種雜質，則總的擴散雜質分布將是二者分別擴散所得結果的疊加（即兩種雜質的擴散可以分別獨立地處理）。其主要分為位錯擴散、空位擴散和間隙擴散。
