本徵擴散係數也稱偏(分)擴散係數,包括自擴散和濃度梯度引起的擴散,需要條件是在有濃度梯度的合金中產生。
基本介紹
- 中文名:本徵擴散係數
- 外文名:Intrinsic diffusion coefficient
- 別稱:偏(分)擴散係數
- 包括:自擴散和濃度梯度引起的擴散
- 條件:在有濃度梯度的合金中
簡介,本徵擴散,相關研究,
簡介
本徵擴散
主要依賴熱缺陷進行的擴散叫本徵擴散。在雜質原子往半導體中進行熱擴散時,如果雜質原子的濃度小於熱擴散溫度下半導體中的本徵載流子濃度,則雜質原子的擴散係數為常數,這種擴散就稱為本徵擴散。只有在摻雜濃度較低、或者擴散溫度較高時才可能是本徵擴散。
滿足本徵擴散條件的區域即稱為本徵擴散區。在本徵擴散區內,如果擴散有兩種雜質,則總的擴散雜質分布將是二者分別擴散所得結果的疊加(即兩種雜質的擴散可以分別獨立地處理)。其主要分為位錯擴散、空位擴散和間隙擴散。
相關研究
擴展電阻分析用以測量較低濃度砷的剖面的有效性,進而研究了較低濃度砷在矽中的擴散問題。由於通過快速熱退火對樣品進行預處理,排除了輻照損傷對擴散係數測定的影響,從而測得砷在矽中本來意義下,即替位擴散意義下的本徵擴散係數。
結果表明:SUPREM III所採用的模型在較高濃度區擴散係數隨濃度遞增速率較小,Hu理論仍然和實驗較符合。