曹先澤

曹先澤

男,1966年3月出生,1987年畢業於中國科技大學物理系,1997年獲德國 Kaiserslautern 大學物理學博士學位。1997-1998在德國IFOS研究所作博士後。1998年入選中科院"百人計畫"。現為中國科學院物理所研究員,課題組長;中國科技大學物理系兼職教授,《The Open Surface Science Journal》雜誌編輯,重大研究計畫首席科學家,《物理》雜誌專欄撰稿人。複合納米矽體系的發光;寬禁帶化合物半導體設計;多晶矽低溫生長;貴金屬氮化物熱穩定性設計與合成;電流變液機理;應力驅動微結構的自組織;微重力現象等。

基本介紹

  • 中文名:曹先澤
  • 國籍:中國
  • 出生日期:1966年3月
  • 性別:男
主要研究方向:,目前從事工作包括:,過去的主要工作及獲得的成果:,目前的研究課題及展望:,

主要研究方向:

薄膜生長技術、過程與機理;新材料探索; 表面的電子能譜掃描探針譜分析;低溫電漿,凝聚態表面;微結構與量子力學。

目前從事工作包括:

複合納米矽體系的發光;寬禁帶化合物半導體設計;多晶矽低溫生長;貴金屬氮化物熱穩定性設計與合成;電流變液機理;應力驅動微結構的自組織;微重力現象等

過去的主要工作及獲得的成果:

長期從事低能離子同固體表面的相互作用,薄膜生長機理和表面電子譜學與掃描探針譜學方面的研究以及超硬透明導電材料探索.首次給出離子轟擊誘導深度輪廓的演化方程,發展了一套俄歇譜濺射深度輪廓技術。系統研究了(等)離子束輔助生長參數對輕元素化合物薄膜生長過程和性質的影響,在寬禁帶半導體材料如 SiCN, AlCN, BCN的設計方面獲得一批成果。 率先實現了納米矽複合薄膜體系的可見光全譜發光,目前已把納米矽顆粒的尺寸和密度都推至物理極限,最小波長為428nm, 外量子效率超過3%,衰減時間小於納秒。 自行設計研製了多功能UHV鍍膜系統,電子迴旋共振波電漿薄膜生長系統和脈衝電子束薄膜沉積系統。 利用曲面上應力驅動自組織首次在微觀世界裡實現Fibonacci Spiral Patterns, 並實現了手性的控制;研究了球面上三角排布到迷宮式花樣間的相變;研究了旋轉橢球面上應力花樣對形狀因子、皮厚和過載的依賴關係,再現了大自然中瓜果表面的形貌,為生物形貌多樣性提供了一個普適的解釋。在貴金屬氮化物薄膜中首次發現微米級五次對稱的浮雕式形貌,並獲得了在200K溫區內為零的電阻溫度係數。
在PRL,APL, PNAS,Adv. Mat.,Science等國際重要雜誌上撰寫研究論文60餘篇,另撰寫中文物理學教育/隨感50多篇,中英文專著章節、百科條目若干。現在在《物理》雜誌開設“物理學咬文嚼字”專欄。開設過系列講座“經典力學-從思想起源到現代進展(2006,2007)”,“一個初學者關於量子力學的思考 (2008)”,“熱力學與統計物理:their conceptual origins and modern advancement (2009)"。 2010年擬開設 “從電磁學到量子電動力學”。

目前的研究課題及展望:

中國科學院方向性項目,“973”項目,空間材料科學項目.

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