晶格失配是指由於襯底和外延層的晶格常數不同而產生的失配現象
晶格失配是指由於襯底和外延層的晶格常數不同而產生的失配現象
晶格失配是指由於襯底和外延層的晶格常數不同而產生的失配現象...... 晶格失配度 (以下簡稱失配度 ), 即晶格錯配度 ,是描述襯底和外延膜晶格匹配的參量 。晶...
晶格常數(或稱之為點陣常數)指的就是晶胞的邊長,也就是每一個平行六面體單元的邊長,它是晶體結構的一個重要基本參數。 晶格常數(英語:lattice constant),或稱...
講述了晶體應變技術的含義。並且用文字詳盡的描述了晶體應變技術的套用並分為晶格失配異質結的製作、晶格失配異質結的外延生長可以有兩種情況、晶格應變可以提高載流子...
研究表明(111)面MgAl2O4晶體與InN晶格的失配率為15%,晶格匹配性能要大大優於藍寶石,(0001)面藍寶石與InN晶格的失配率高達25%。而且,如果位於頂層氧原子層...
贗晶體就是晶格存在畸變的晶體。一般,贗晶體是生長在晶格失配(晶格常數不同)的襯底上的薄膜材料。贗晶生長技術是製備高質量的晶格失配異質結的一種重要技術——...
GaN藍光LED普遍使用的襯底材料是藍寶石,雖然襯底與GaN外延層之間存在巨大的晶格失配和熱失配。若用GaN做成其它器件,如雷射器二極體或是大面積、大功率器件,如此高...
組成半導體異質結的兩種材料的晶格失配時,在界面處會產生位錯缺陷,對異質結器件的性能有不利影響。在一種材料襯底上外延另一種晶格常數不匹配的材料時,只要兩種...
使用藍寶石作為襯底也存在一些問題,例如晶格失配和熱應力失配,這會在外延層中產生大量缺陷,同時給後續的器件加工工藝造成困難。藍寶石是一種絕緣體,常溫下的電阻率...
在製作PHEMT時,為了克服InGaAs/GaAs異質結界面的因晶格失配(約為1%)而產生的應力的影響,一般是把InGaAs層生長得很薄(厚度約為20nm),讓其中的晶格存在有畸變,以...
用MBE技術,在外延層晶格失配小於某一臨界條件下,生長出高質量外延層,這種結構為應變層結構。應變層結構的出現豐富了異質結結構的種類。因為晶格常數匹配的半導體材料...
突破性實現了大晶格失配度下金屬/半導體納米核殼結構的非外延生長,首次實現了光-物質-自旋在金屬/半導體量子點核殼結構中的精確調控。以第一作者在Nature、Science...
通過分析Rocking curve,可以得到許多關於外延材料結構的信息:從衍射峰的分離可以得到晶格失配及組分;從衍射峰的積分強度比或Pendellosung 條文的周期,可以得到外延層...
1)C的加入改善了SiGe/Si異質結的界面性能.因為Ge與Si的晶格失配率為4.2%, 以致Si基上的SiGe外延層有很大的應變能,甚至會在界面出現失配位錯;而C原子比Si和...
在外延生長時,晶格失配引起的位錯密度很高,因此用此種方法製備三元化合物半導體時,需要另想辦法降低位錯密度。在薄膜的製備中,除了以上三種外延生長的方法外,磁控...
目前用於氮化鎵生長的最普遍的襯底是Al2O3,其優點是化學穩定性好、不吸收可見光、價格適中、製造技術相對成熟;不足方面雖然很多,但均一一被克服,如很大的晶格失配...
上個世紀90年代,人們開發了無損傷的低維半導體材料的製備方法,就是利用不同材料的晶格失配而產生的應力,通過Stranski-Krastanow(S-K)生長模式來獲得無缺陷、無位...
(2)外延生長的溫度低,因此降低了界面上熱膨脹引入的晶格失配效應和襯底雜質對外延層的自摻雜擴散影響。(3)由於生長是在超高真空中進行的,襯底表面經過處理可成為...
4.5.3 晶格失配界面光發射測量4.5.4 原子平整界面光發射譜參考文獻5 納米半導體光電性質尺寸效應分析5.1 納米si帶隙量子尺寸效應補充說明...
用MBE技術,在外延層晶格失配小於某一臨界條件下,生長出高質量外延層,這種結構為應變層結構。應變層結構的出現豐富了異質結結構的種類。因為晶格常數匹配的半導體材料...
(雖然藍寶石和SiC與GaN的晶體結構相似,但仍然有比較大的晶格失配和熱失配);未摻雜GaN的室溫背景載流子(電子)濃度高達1017cm-3(可能與N空位、替位式Si、替位式...
Gamma/Gamma' 錯配——晶格常數、晶格失配堆垛層錯能計算Jmatpro機械性能計算 強度與硬度應力-應變曲線高溫強度(高溫狀態下的應力-應變曲線)蠕變計算...
合作研究了Bi系高溫超導材料晶體結構中的非公度調製,通過元素替代實驗,提出主要物理原因是Bi2O3層和鈣鈦礦層晶格失配,並對Bi系材料的相分離現象和元素替代效應等...
同時,在CIS/CIGS與CdS兩個禁頻寬度之間形成一個過渡,減小了彼此之間的禁頻寬度台階,從而減小了晶格失配,減小界面態密度,也減小了帶邊失調值,由原來的-0.298eV...
在近完整晶體中,缺陷、畸變等體現在X射線譜中只有幾十弧秒,而半導體材料進行外延生長要求晶格失配要達到10-4或更小。這樣精細的要求使雙晶X射線衍射技術成為近代...