晶圓減薄，是在製作積體電路中的晶圓體減小尺寸，為了製作更複雜的積體電路。
基本介紹
- 中文名：晶圓減薄
- 源於：市場需求的要求
- 要求：競爭
- 原因：資源豐富，製造成本低，工藝性好
積體電路製造技術的進步首先來源於市場需求的要求，其次是競爭的要求。在積體電路製造中，
半導體矽材料由於其資源豐富，製造成本低，工藝性好，是積體電路重要的基體材料。
從積體電路斷面結構來看，大部分積體電路是在矽基體材料的淺表面層上製造。由於製造工藝的
要求，對晶片的尺寸精度、幾何精度、表面潔淨度以及表面微晶格結構提出很高要求。因此在幾百道工
藝流程中，不可採用較薄的晶片，只能採用一定厚度的晶片在工藝過程中傳遞、流片。通常在集成電
路封裝前，需要對晶片背面多餘的基體材料去除一定的厚度。這一工藝過程稱之為晶片背面減薄工
藝，對應裝備就是晶片減薄機。
作用：
1.通過減薄/研磨的方式對晶片襯底進行減薄，改善晶片散熱效果。
2.減薄到一定厚度有利於後期封裝工藝。
常規工藝:
減薄/拋光到80-100um
粗糙度: 5-20nm
平整度: ±3um
