《斜位三電極電流注入方式的磁共振阻抗成像系統研究》是依託中國科學院電工研究所，由楊文暉擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：斜位三電極電流注入方式的磁共振阻抗成像系統研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：楊文暉
- 依託單位：中國科學院電工研究所
- 批准號：50577064
- 申請代碼：E0708
- 負責人職稱：教授級高級工程師
- 研究期限：2006-01-01 至 2008-12-31
- 支持經費：27（萬元）
項目摘要
鑒於阻抗斷層分布圖像對反映組織的病理生理具有重要的臨床價值，磁共振電阻抗成像(magnetic resonance electrical impedance tomography，MREIT)利用MRCDI技術，測得注入電流在導體內的分布或電流激勵的磁場的分布，根據電導率與注入電流激勵磁場之間的關係，重建得到的組織阻抗分布圖像具有相當高的空間解析度和準確性，為醫學診斷提供一種行之有效的輔助手段。本項目提出的三電極輪換注入電流斜位阻抗分布圖像重建的方法可以克服對成像物體三個方向旋轉，並可以解決目前無需旋轉成像物體的磁共振阻抗成像方法在主磁場方向與成像物體長軸垂直的磁共振成像系統下難以實現的問題。
