放大區，晶體三極體的一個工作區域。在該區域內，發射結正偏，集電結反偏，基極電流控制集電極電流，兩者近似於線性關係，在基極加上一個小信號電流，集電極有大信號電流輸出，三極體有放大作用。
基本介紹
- 中文名：放大區
- 定義：晶體三極體的一個工作區域
- 工作特性：發射結正偏，集電結反偏，基極電流控制集電極電流，有放大作用
放大區，晶體三極體的一個工作區域。在該區域內，發射結正偏，集電結反偏，基極電流控制集電極電流，兩者近似於線性關係，在基極加上一個小信號電流，集電極有大信號電流輸出，三極體有放大作用。
電晶體放大區是指電晶體輸出特性曲線中每條曲線近似水平部分的集合所對應的區域。電晶體放大區是指電晶體輸出特性曲線中每條曲線近似水平部分的集合所對應的區域。這表明，在集射電壓U(CE)一定的範圍內，集電極電流I(C)與U(CE)無關，...
臨界放大（Critical amplification），是一個物理學術語，集電極和發射極間電壓為零時狀態。三極體的飽和區 先解釋一下三極體的飽和區： 當Uce較小時，Ic變化較小，即Ib失去了對Ic的控制能力，三極體處於飽和狀態。此時，三極體的發射結和...
放大區 電晶體放大區是指電晶體輸出特性曲線中每條曲線近似水平部分的集合所對應的區域。這表明，在集射電壓U(CE)一定的範圍內，集電極電流I(C)與U(CE)無關，只取決於I(B)的值。根據這一特性，可實現利用I(B)的變化去線性地控制...
故又叫“恆流區”。它表示場效應管預夾斷後I(D)和U(DS)之間的關係。在該區域內，I(D)的大小隻受U(GS)控制，此時場效應管可看作一個電壓控制電流源。場效應管作為放大器件套用時，工作在該區域，故又稱“放大區”。
飽和區（對應於GTR的放大區）非飽和區（對應GTR的飽和區）工作在開關狀態，即在截止區和非飽和區之間來迴轉換。漏源極之間有寄生二極體，漏源極間加反向電壓時導通。通態電阻具有正溫度係數，對器件並聯時的均流有利。(3)動態特性 開...
線性模式，是指調整管工作線上性狀態下（就是工作在放大區啊）的直流穩壓電源。就比如三極體，有放大、飽和、截止三種工作狀態一樣，調整管工作線上性狀態下，可這么來理解：RW是連續可變的，亦即是線性的。而在開關電源中則不一樣，...
它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區1 、放大區2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態下的IGBT ，正向電壓由J2 結承擔，反向電壓由J1結承擔。如果無N+ 緩衝區，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入N+緩衝區後，反向關斷電壓只能...
I(C)取值與U(CE)有很大關係，I(C)隨U(CE)的增大而增大；I(C)取值與I(B)不成比例，線性放大無法實現；各條輸出特性曲線的起始部分密集；電晶體沒有放大作用，集電極和發射極相當於短路，可與截止區配合，用於開關電路。
右圖PNP型三極體.三極體導通時IE=（放大倍數+1)*IB和ICB沒有關係，ICB=0 ICB>0時,可能三極體就有問題,所以三極體在正常工作時,不管是工作在放大區還是飽和區ICB=0 當UEB>0.7V(矽)(鍺0.2V),RC/RB ...
假設連線在電路中的電晶體位於正向放大區，如果此時將電晶體集電極和發射極在電路中的連線互換，將使電晶體離開正向放大區，進入反向工作區。電晶體的內部結構決定了它適合在正向放大區工作，所以反向工作區的共基極電流增益和共射極電流...
當電晶體偏置在有源放大區時，集電結邊緣處電子密度為零，將邊界條件代入得：經過指數分布近似及化簡得：上式正是均勻基區電晶體工作於有源放大區時的基區少子分布函式。圖1畫出了不同電場因子 下基區電子濃度分布曲線，圖中採用了...
1.3.1 正向放大區的大信號模型 1.3.2 集電極電壓對正向放大區大信號特性的影響 1.3.3 飽和區和反向放大區 1.3.4 電晶體擊穿電壓 1.3.5 工作條件決定電晶體電流增益 1.4 雙極型電晶體的小信號模型 1.4.1 跨導 1.4.2 ...
3、飽和區（放大區）當 VGS > Vth 且 VGD < Vth 時：這顆金氧半場效電晶體為導通的狀況，也形成了溝道讓電流通過。但是隨著漏極電壓增加，超過柵極電壓時，會使得接近漏極區的反轉層電荷為零，此處的溝道消失（如圖3），這種狀況...
達林頓管的作用一般是在高靈敏的放大電路中放大非常微小的信號，如大功率開關電路。在電子學電路設計中，達林頓接法常用於功率放大器和穩壓電源中。複合管組成原則 在正確的外加電壓下，每隻電晶體均工作在放大區。第1個元件的集電極電流...